CM50N06 - описание и поиск аналогов

 

CM50N06. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CM50N06

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 130 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 15 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.023 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для CM50N06

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CM50N06 даташит

 ..1. Size:125K  jdsemi
cm50n06.pdfpdf_icon

CM50N06

R CM50N06 www.jdsemi.cn ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. POWER MOSFET 60V N-Channel Trench-MOS RoHS 1 2 3 TO-220 4

Другие MOSFET... CM30N40PZ , CM3N50C , CM40N20 , CM4N60 , CM4N60C , CM4N60F , CM4N65C , CM4N65F , K3569 , CM55N06 , CM5N50 , CM5N50C , CM5N50F , CM5N80F , CM60N03 , CM60N03C , CM6N40 .

History: S40N09S | SL3416 | SL4406 | TK5A65W | IXFT50N50P3 | BUK444-200B

 

 

 

 

↑ Back to Top
.