Справочник MOSFET. CM50N06

 

CM50N06 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CM50N06
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 130 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 15 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.023 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для CM50N06

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CM50N06 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:125K  jdsemi
cm50n06.pdfpdf_icon

CM50N06

RCM50N06 www.jdsemi.cnShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. POWER MOSFET 60V N-Channel Trench-MOS RoHS 1 2 3 TO-220 4

Другие MOSFET... CM30N40PZ , CM3N50C , CM40N20 , CM4N60 , CM4N60C , CM4N60F , CM4N65C , CM4N65F , SPP20N60C3 , CM55N06 , CM5N50 , CM5N50C , CM5N50F , CM5N80F , CM60N03 , CM60N03C , CM6N40 .

History: FDP75N08A | STH60N10 | HFS2N60FS | CEF14P20 | FQD7N30 | STH14N50 | IRF9540NL

 

 
Back to Top

 


 
.