CM60N03 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CM60N03
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 62.5 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 25 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 15 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 60 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.015 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220
Búsqueda de reemplazo de CM60N03 MOSFET
CM60N03 Datasheet (PDF)
cm60n03.pdf

RCM60N03 www.jdsemi.cnShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. POWER MOSFET 30V N-Channel Trench-MOS RoHS 1 D/CPMCD W2 3
cm60n03c.pdf

RCM60N03C www.jdsemi.cnShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. POWER MOSFET 30V N-Channel Trench-MOS RoHS 1 D/CPMCD W2 TO-251 TO-252
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History: FQD4P25TMWS | FK14SM-9 | BUZ900D | IPS65R1K4C6 | BR50N10 | FDS9933A | BF353
History: FQD4P25TMWS | FK14SM-9 | BUZ900D | IPS65R1K4C6 | BR50N10 | FDS9933A | BF353



Liste
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