CM60N03 Todos los transistores

 

CM60N03 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CM60N03
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 62.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 25 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 15 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 60 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.015 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220
 

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CM60N03 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:124K  jdsemi
cm60n03.pdf pdf_icon

CM60N03

RCM60N03 www.jdsemi.cnShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. POWER MOSFET 30V N-Channel Trench-MOS RoHS 1 D/CPMCD W2 3

 0.1. Size:132K  jdsemi
cm60n03c.pdf pdf_icon

CM60N03

RCM60N03C www.jdsemi.cnShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. POWER MOSFET 30V N-Channel Trench-MOS RoHS 1 D/CPMCD W2 TO-251 TO-252

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History: SIHW73N60E | NTD4960N

 

 
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