CM60N03 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: CM60N03
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 62.5 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 25 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 15 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.015 Ohm
Тип корпуса: TO220
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
CM60N03 Datasheet (PDF)
cm60n03.pdf

RCM60N03 www.jdsemi.cnShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. POWER MOSFET 30V N-Channel Trench-MOS RoHS 1 D/CPMCD W2 3
cm60n03c.pdf

RCM60N03C www.jdsemi.cnShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. POWER MOSFET 30V N-Channel Trench-MOS RoHS 1 D/CPMCD W2 TO-251 TO-252
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
History: VS4610AZ | SQJ460AEP | TP0101TS-T1 | IRF6217 | 2SK56 | IRC8405 | 7N65KG-T2Q-T
History: VS4610AZ | SQJ460AEP | TP0101TS-T1 | IRF6217 | 2SK56 | IRC8405 | 7N65KG-T2Q-T



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
2sc897 | 2sa818 | 2sa763 | a933 | 2sa818 replacement | irfb3607 datasheet | 2n2907 equivalent | c2026