CM60N03C MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CM60N03C
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 43.5 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 25 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 15 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 60 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.015 Ohm
Paquete / Cubierta: TO251 TO252
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CM60N03C Datasheet (PDF)
cm60n03c.pdf
RCM60N03C www.jdsemi.cnShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. POWER MOSFET 30V N-Channel Trench-MOS RoHS 1 D/CPMCD W2 TO-251 TO-252
cm60n03.pdf
RCM60N03 www.jdsemi.cnShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. POWER MOSFET 30V N-Channel Trench-MOS RoHS 1 D/CPMCD W2 3
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