CM7N60 Todos los transistores

 

CM7N60 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CM7N60

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 110 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.25 Ohm

Encapsulados: TO220A

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CM7N60 datasheet

 ..1. Size:123K  jdsemi
cm7n60 to220a.pdf pdf_icon

CM7N60

 0.1. Size:125K  jdsemi
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CM7N60

R CM7N60F www.jdsemi.cn ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. POWER MOSFET 600V N-Channel VDMOS RoHS 1 LD E 2 1 2

 9.1. Size:125K  jdsemi
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CM7N60

R C76F MN5 www.jdsemi.cn ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. POWER MOSFET 650V N-Channel VDMOS RoHS 1 LD E 2 1 2

Otros transistores... CM5N50F , CM5N80F , CM60N03 , CM60N03C , CM6N40 , CM6N40C , CM6N60 , CM6N60F , AON6380 , CM7N60F , CM7N65F , CM84N06 , CM8N06C , CM8N50 , CM8N50F , CM8N60 , CM8N60F .

History: SL4406 | BUK444-200B | IXFT50N50P3 | TK5A65W

 

 

 

 

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