CM7N60 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CM7N60
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 110 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.25 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220A
Búsqueda de reemplazo de CM7N60 MOSFET
CM7N60 Datasheet (PDF)
cm7n60 to220a.pdf

RCM7N60 www.jdsemi.cnShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. POWER MOSFET 600V N-Channel VDMOS RoHS 1 LDE2 3
cm7n60f.pdf

RCM7N60F www.jdsemi.cnShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. POWER MOSFET 600V N-Channel VDMOS RoHS 1 LDE2 12
cm7n65f.pdf

RC76FMN5 www.jdsemi.cnShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. POWER MOSFET 650V N-Channel VDMOS RoHS 1LDE2 12
Otros transistores... CM5N50F , CM5N80F , CM60N03 , CM60N03C , CM6N40 , CM6N40C , CM6N60 , CM6N60F , IRLZ44N , CM7N60F , CM7N65F , CM84N06 , CM8N06C , CM8N50 , CM8N50F , CM8N60 , CM8N60F .
History: IXTQ36N30P | WFF2N65B
History: IXTQ36N30P | WFF2N65B



Liste
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