CM7N60 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CM7N60
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 110 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.25 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220A
Búsqueda de reemplazo de CM7N60 MOSFET
CM7N60 Datasheet (PDF)
cm7n60 to220a.pdf

RCM7N60 www.jdsemi.cnShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. POWER MOSFET 600V N-Channel VDMOS RoHS 1 LDE2 3
cm7n60f.pdf

RCM7N60F www.jdsemi.cnShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. POWER MOSFET 600V N-Channel VDMOS RoHS 1 LDE2 12
cm7n65f.pdf

RC76FMN5 www.jdsemi.cnShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. POWER MOSFET 650V N-Channel VDMOS RoHS 1LDE2 12
Otros transistores... CM5N50F , CM5N80F , CM60N03 , CM60N03C , CM6N40 , CM6N40C , CM6N60 , CM6N60F , AON7506 , CM7N60F , CM7N65F , CM84N06 , CM8N06C , CM8N50 , CM8N50F , CM8N60 , CM8N60F .
History: KF12N60F | APT10090BLL | APT38N60BC6 | HAF2007L | SSN65R065SFD3 | RU3089L | FTK3134K
History: KF12N60F | APT10090BLL | APT38N60BC6 | HAF2007L | SSN65R065SFD3 | RU3089L | FTK3134K



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
Popular searches
2n2907 equivalent | c2026 | mpsa56 transistor equivalent | 13009 transistor | irf3205 equivalent | ksa992 transistor | 2n2926 | ksa992 pinout