CM8N50 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CM8N50

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 115 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 500 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 30 V

Corriente continua de drenaje (Id): 8 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.85 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO220A

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CM8N50 Datasheet (PDF)

1.1. cm8n50 to220a.pdf Size:124K _jdsemi

R CM8N50 深圳市晶导电子有限公司 www.jdsemi.cn ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. POWER MOSFET ◆500V N-Channel VDMOS ◆使用及贮存时需防静电 ◆符合 RoHS 等环保指令要求 1．主要用途主要用于电子镇流器、节能灯、开关电源等功率开关电路 2．主要特点开关速度快通态电阻小，输入电容小 3．封�

1.2. cm8n50f.pdf Size:126K _jdsemi

R CM8N50F 深圳市晶导电子有限公司 www.jdsemi.cn ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. POWER MOSFET ◆500V N-Channel VDMOS ◆使用及贮存时需防静电 ◆符合 RoHS 等环保指令要求 1．主要用途主要用于电子镇流器、节能灯、开关电源等功率开关电路 2．主要特点开关速度快 1 通态电阻小，输入电容小 2 3

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Liste

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