CM8N50 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CM8N50
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 115 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.85 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220A
Búsqueda de reemplazo de CM8N50 MOSFET
CM8N50 Datasheet (PDF)
cm8n50 to220a.pdf

RCM8N50 www.jdsemi.cnShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. POWER MOSFET 500V N-Channel VDMOS RoHS 1 2 3
cm8n50f.pdf

RCM8N50F www.jdsemi.cnShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. POWER MOSFET 500V N-Channel VDMOS RoHS 1 2 1 23
Otros transistores... CM6N40C , CM6N60 , CM6N60F , CM7N60 , CM7N60F , CM7N65F , CM84N06 , CM8N06C , 20N50 , CM8N50F , CM8N60 , CM8N60F , CM8N65F , CM8N80 , CM8N80F , CM9N20 , CM9N90PZ .
History: CRST085N15N | IRFP250A | SSF11NS65UF | WM02DH08T | SFD347N100C2 | NTMS4N01R2G | FDMS0308AS
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Liste
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