CM8N50 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CM8N50
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pd): 115 W
Tensión drenaje-fuente (Vds): 500 V
Tensión compuerta-fuente (Vgs): 30 V
Corriente continua de drenaje (Id): 8 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.85 Ohm
Empaquetado / Estuche: TO220A
Búsqueda de reemplazo de MOSFET CM8N50
CM8N50 Datasheet (PDF)
1.1. cm8n50 to220a.pdf 
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R CM8N50 深圳市晶导电子有限公司 www.jdsemi.cn ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. POWER MOSFET ◆500V N-Channel VDMOS ◆使用及贮存时需防静电 ◆符合 RoHS 等环保指令要求 1．主要用途 主要用于电子镇流器、节能灯、 开关电源等功率开关电路 2．主要特点 开关速度快 通态电阻小，输入电容小 3．封
1.2. cm8n50f.pdf Size:126K _jdsemi
R CM8N50F 深圳市晶导电子有限公司 www.jdsemi.cn ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. POWER MOSFET ◆500V N-Channel VDMOS ◆使用及贮存时需防静电 ◆符合 RoHS 等环保指令要求 1．主要用途 主要用于电子镇流器、节能灯、 开关电源等功率开关电路 2．主要特点 开关速度快 1 通态电阻小，输入电容小 2 3
Otros transistores... 2P7145B-IM , 2P7145B-5-IM , 2P7172A , 2P7172A-5 , 2P7233A , 2P7233A-5 , 2P7209A , 2P7234A , IRF1010E , SI2300 , SI2302 , SI2312 , XP151A13COMR , AO3400 , PT8205 , PT8205A , PT8822 .
