CM8N80 Todos los transistores

 

CM8N80 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CM8N80
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 135 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.25 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220A
 

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CM8N80 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:122K  jdsemi
cm8n80 to220a.pdf pdf_icon

CM8N80

RC88MN0 www.jdsemi.cnShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. POWER MOSFET 800V N-Channel VDMOS RoHS 12 3

 0.1. Size:124K  jdsemi
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RC88FMN0 www.jdsemi.cnShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. POWER MOSFET 800V N-Channel VDMOS RoHS 12 1 23

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History: RSS090P03TB | H4946S | 2SK1905 | IRF4104PBF | IXFH28N60P3 | AOTF380A60L | P0806ATF

 

 
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