CM8N80 MOSFET. Datasheet pdf. Equivalent
Type Designator: CM8N80
Type of Transistor: MOSFET
Type of Control Channel: N -Channel
Maximum Power Dissipation (Pd): 135 W
Maximum Drain-Source Voltage |Vds|: 800 V
Maximum Gate-Source Voltage |Vgs|: 30 V
Maximum Drain Current |Id|: 8 A
Maximum Junction Temperature (Tj): 150 °C
Maximum Drain-Source On-State Resistance (Rds): 1.25 Ohm
Package: TO220A
CM8N80 Transistor Equivalent Substitute - MOSFET Cross-Reference Search
CM8N80 Datasheet (PDF)
1.1. cm8n80f.pdf 
Size:124K _jdsemi
R C88F MN0 深圳市晶导电子有限公司 www.jdsemi.cn ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. POWER MOSFET ◆800V N-Channel VDMOS ◆使用及贮存时需防静电 ◆符合 RoHS 等环保指令要求 1 ．主要用途 主要用于高效开关电源、适配器 等功率开关电路 2 ．主要特点 开关速度快 1 通态电阻小，输入电容小 2 3 ．封装
1.2. cm8n80 to220a.pdf Size:122K _jdsemi
R C88 MN0 深圳市晶导电子有限公司 www.jdsemi.cn ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. POWER MOSFET ◆800V N-Channel VDMOS ◆使用及贮存时需防静电 ◆符合 RoHS 等环保指令要求 1 ．主要用途 主要用于高效开关电源、适配器 等功率开关电路 2 ．主要特点 开关速度快 通态电阻小，输入电容小 3 ．封装外形
Datasheet: CM7N65F , CM84N06 , CM8N06C , CM8N50 , CM8N50F , CM8N60 , CM8N60F , CM8N65F , 2SK3568 , CM8N80F , CM9N20 , CM9N90PZ , CS100N03_B4 , CS100N03_B8 , CS100N03F_B9 , CS10N50_A8R , CS10N50F_A9R .
LIST
Last Update
MOSFET: ZXMS6006SGQ | ZXMS6006DT8Q | ZXMS6006DGQ | ZXMS6005SGQ | ZXMS6005DT8Q | ZXMS6005DGQ | ZXMS6004SGQ | ZXMS6004FFQ | ZXMS6004DT8Q | ZXMS6004DGQ | ZXMS6002GQ | ZXMP7A17KTC | ZXMP7A17GTA | ZXMP7A17GQ | ZXMP6A18KTC |