VBA2333 Todos los transistores

 

VBA2333 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: VBA2333

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.3 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.1 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 14 nS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.042 Ohm

Encapsulados: SO8

 Búsqueda de reemplazo de VBA2333 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

VBA2333 datasheet

 ..1. Size:388K  cn vbsemi
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VBA2333

VBA2333 www.VBsemi.com P-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Definition 0.042 at VGS = - 10 V - 5.8 TrenchFET Power MOSFET 0.055 at VGS = - 6 V - 30 - 5.0 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC 0.060 at VGS = - 4.5 V - 4.4 S SO-8 G SD 1 8 S D 2 7 3 6 SD G D 4 5 D Top

 9.1. Size:446K  cn vbsemi
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VBA2333

VBA2309 www.VBsemi.com P-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)d Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET 0.0092 at VGS = - 10 V - 13.5 100 % Rg Tested RoHS - 30 29.5 nC COMPLIANT 100 % UIS Tested 0.0128 at VGS = - 4.5 V - 11.6 APPLICATIONS Load Switch Notebook Adaptor Switch SO-8 S S 1 8 D S D 2 7 G

 9.2. Size:869K  cn vbsemi
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VBA2305 www.VBsemi.com P-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Gen IV p-channel power MOSFET VDS (V) -30 RDS(on) max. ( ) at VGS = 10 V 0.0050 Enables higher power density RDS(on) max. ( ) at VGS = 4.5 V 0.0080 100 % Rg and UIS tested Qg typ. (nC) 27 ID (A) 18 Configuration Single APPLICATIONS SO-8 Single S D Battery management in m

 9.3. Size:426K  cn vbsemi
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VBA2311 www.VBsemi.com P-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)d Qg (Typ.) Available 0.0125 at VGS = - 10 V - 11.6 TrenchFET Power MOSFET - 30 22 nC 100 % Rg Tested 0.0180 at VGS = - 4.5 V - 10 100 % UIS Tested APPLICATIONS Load Switches S - Notebook PCs SO-8 - Desktop PCs

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