Справочник MOSFET. VBA2333

 

VBA2333 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: VBA2333
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.1 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 14 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.042 Ohm
   Тип корпуса: SO8
 

 Аналог (замена) для VBA2333

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VBA2333 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:388K  cn vbsemi
vba2333.pdfpdf_icon

VBA2333

VBA2333www.VBsemi.comP-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Definition0.042 at VGS = - 10 V - 5.8 TrenchFET Power MOSFET0.055 at VGS = - 6 V - 30 - 5.0 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC0.060 at VGS = - 4.5 V - 4.4SSO-8GSD1 8S D2 73 6SDG D4 5DTop

 9.1. Size:446K  cn vbsemi
vba2309.pdfpdf_icon

VBA2333

VBA2309www.VBsemi.comP-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)d Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.0092 at VGS = - 10 V - 13.5 100 % Rg TestedRoHS- 30 29.5 nCCOMPLIANT 100 % UIS Tested0.0128 at VGS = - 4.5 V - 11.6APPLICATIONS Load Switch Notebook Adaptor SwitchSO-8 S S1 8 DS D2 7G

 9.2. Size:869K  cn vbsemi
vba2305.pdfpdf_icon

VBA2333

VBA2305www.VBsemi.comP-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Gen IV p-channel power MOSFETVDS (V) -30RDS(on) max. () at VGS = 10 V 0.0050 Enables higher power densityRDS(on) max. () at VGS = 4.5 V 0.0080 100 % Rg and UIS testedQg typ. (nC) 27ID (A) 18Configuration SingleAPPLICATIONSSO-8 SingleSD Battery management in m

 9.3. Size:426K  cn vbsemi
vba2311.pdfpdf_icon

VBA2333

VBA2311www.VBsemi.comP-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)d Qg (Typ.)Available0.0125 at VGS = - 10 V - 11.6 TrenchFET Power MOSFET- 30 22 nC 100 % Rg Tested0.0180 at VGS = - 4.5 V - 10 100 % UIS TestedAPPLICATIONS Load SwitchesS - Notebook PCsSO-8- Desktop PCs

Другие MOSFET... CS10N80AND , CS7N65FA9D , VBA3316 , VBA3222 , CS12N60A8R , CS6N80ARR-G , VBA2658 , CS12N60FA9R , AON7403 , CS12N65A8R , CS5N65FA9R , CS12N65FA9R , CS12N70A8H , CS13N50A8D , VBA2311 , CS13N50A8R , CS13N50FA9D .

History: QM3009S | RJK2017DPP | SL2308 | BSC072N03LDG | NCE60N670K | APT60M80L2VFRG

 

 
Back to Top

 


 
.