CS13N50FA9D Todos los transistores

 

CS13N50FA9D MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CS13N50FA9D
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 60 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 13 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 16 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 160 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.5 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220F
 

 Búsqueda de reemplazo de CS13N50FA9D MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

CS13N50FA9D Datasheet (PDF)

 4.1. Size:226K  wuxi china
 cs13n50fa9h.pdf pdf_icon

CS13N50FA9D

Silicon N-Channel Power MOSFET R CS13N50F A9H VDSS 500 V General Description ID 13 A CS13N50F A9H, the silicon N-channel Enhanced PD (TC=25) 60 W VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar RDS(ON)Typ 0.34 Technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in variou

 4.2. Size:268K  wuxi china
 cs13n50fa9r.pdf pdf_icon

CS13N50FA9D

Silicon N-Channel Power MOSFET R CS13N50F A9R General Description VDSS 500 V CS13N50F A9R, the silicon N-channel Enhanced ID 13 A PD(TC=25) 42 W VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology RDS(ON)Typ 0.4 which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various po

 6.1. Size:1016K  1
 jcs13n50ft.pdf pdf_icon

CS13N50FA9D

N N- CHANNEL MOSFET RJCS13N50FT MAIN CHARACTERISTICS Package ID 13 A VDSS 500 V Rdson-max@Vgs=10V 0.46 Qg-typ 37 nC APPLICATIONS High frequency switching mode power supply UPS Electronic ballast UPS FEATUR

 6.2. Size:1655K  jilin sino
 jcs13n50bc jcs13n50sc jcs13n50cc jcs13n50fc.pdf pdf_icon

CS13N50FA9D

N N- CHANNEL MOSFET RJCS13N50C MAIN CHARACTERISTICS Package ID 13 A VDSS 500 V Rdson@Vgs=10V 0.49 Qg 27 nC APPLICATIONS High frequency switching mode power supply UPS Electronic ballast UPS FEATURES

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... VBA2333 , CS12N65A8R , CS5N65FA9R , CS12N65FA9R , CS12N70A8H , CS13N50A8D , VBA2311 , CS13N50A8R , AO3407 , CS5N60FA9HD , CS13N50FA9R , CS5N60A8H , VBA2216 , CS15N50A8R , CS15N50FA9R , VBA1328 , CS16N60FA9H .

History: CEB02N7G | QM3009K | HIRFZ44F | HTD060N03 | IPB019N08N3G | AO4498E | FQI47P06TU

 

 
Back to Top

 


 
.