Справочник MOSFET. CS13N50FA9D

 

CS13N50FA9D Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CS13N50FA9D
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 16 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 160 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.5 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
 

 Аналог (замена) для CS13N50FA9D

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CS13N50FA9D Datasheet (PDF)

 4.1. Size:226K  wuxi china
cs13n50fa9h.pdfpdf_icon

CS13N50FA9D

Silicon N-Channel Power MOSFET R CS13N50F A9H VDSS 500 V General Description ID 13 A CS13N50F A9H, the silicon N-channel Enhanced PD (TC=25) 60 W VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar RDS(ON)Typ 0.34 Technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in variou

 4.2. Size:268K  wuxi china
cs13n50fa9r.pdfpdf_icon

CS13N50FA9D

Silicon N-Channel Power MOSFET R CS13N50F A9R General Description VDSS 500 V CS13N50F A9R, the silicon N-channel Enhanced ID 13 A PD(TC=25) 42 W VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology RDS(ON)Typ 0.4 which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various po

 6.1. Size:1016K  1
jcs13n50ft.pdfpdf_icon

CS13N50FA9D

N N- CHANNEL MOSFET RJCS13N50FT MAIN CHARACTERISTICS Package ID 13 A VDSS 500 V Rdson-max@Vgs=10V 0.46 Qg-typ 37 nC APPLICATIONS High frequency switching mode power supply UPS Electronic ballast UPS FEATUR

 6.2. Size:1655K  jilin sino
jcs13n50bc jcs13n50sc jcs13n50cc jcs13n50fc.pdfpdf_icon

CS13N50FA9D

N N- CHANNEL MOSFET RJCS13N50C MAIN CHARACTERISTICS Package ID 13 A VDSS 500 V Rdson@Vgs=10V 0.49 Qg 27 nC APPLICATIONS High frequency switching mode power supply UPS Electronic ballast UPS FEATURES

Другие MOSFET... VBA2333 , CS12N65A8R , CS5N65FA9R , CS12N65FA9R , CS12N70A8H , CS13N50A8D , VBA2311 , CS13N50A8R , AO3407 , CS5N60FA9HD , CS13N50FA9R , CS5N60A8H , VBA2216 , CS15N50A8R , CS15N50FA9R , VBA1328 , CS16N60FA9H .

History: AM8N25-550D | AM2373P | VS3625GPMC | MDV1595SURH | VBA3695

 

 
Back to Top

 


 
.