VBA2216 Todos los transistores

 

VBA2216 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: VBA2216
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 1700 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.018 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO8
 

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VBA2216 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:572K  cn vbsemi
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VBA2216

VBA2216www.VBsemi.comP-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.)Definitiona0.015 at VGS = - 4.5 V TrenchFET Power MOSFET- 13a 100 % Rg Tested0.026 at VGS = - 2.5 V - 20 20 nC- 10 Built in ESD Protection with Zener Diode0.065 at VGS = - 1.8 V - 8 Typical

Otros transistores... CS12N70A8H , CS13N50A8D , VBA2311 , CS13N50A8R , CS13N50FA9D , CS5N60FA9HD , CS13N50FA9R , CS5N60A8H , BS170 , CS15N50A8R , CS15N50FA9R , VBA1328 , CS16N60FA9H , VBA1104N , VBA1158N , VBA1101M , CS5N60A4H .

History: JCS2N60C | MTB30P06VT4 | SLP8N65C | SMD7N65 | MTB3D0N03BH8 | HY3810M

 

 
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