VBA2216 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: VBA2216
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.5 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 1700 nS
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.018 Ohm
Encapsulados: SO8
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VBA2216 datasheet
vba2216.pdf
VBA2216 www.VBsemi.com P-Channel 20-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Qg (Typ.) Definition a 0.015 at VGS = - 4.5 V TrenchFET Power MOSFET - 13 a 100 % Rg Tested 0.026 at VGS = - 2.5 V - 20 20 nC - 10 Built in ESD Protection with Zener Diode 0.065 at VGS = - 1.8 V - 8 Typical
Otros transistores... CS12N70A8H , CS13N50A8D , VBA2311 , CS13N50A8R , CS13N50FA9D , CS5N60FA9HD , CS13N50FA9R , CS5N60A8H , IRF730 , CS15N50A8R , CS15N50FA9R , VBA1328 , CS16N60FA9H , VBA1104N , VBA1158N , VBA1101M , CS5N60A4H .
History: SE8810
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