VBA2216 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: VBA2216
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.5 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 1700 ns
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.018 Ohm
Тип корпуса: SO8
Аналог (замена) для VBA2216
VBA2216 Datasheet (PDF)
vba2216.pdf

VBA2216www.VBsemi.comP-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.)Definitiona0.015 at VGS = - 4.5 V TrenchFET Power MOSFET- 13a 100 % Rg Tested0.026 at VGS = - 2.5 V - 20 20 nC- 10 Built in ESD Protection with Zener Diode0.065 at VGS = - 1.8 V - 8 Typical
Другие MOSFET... CS12N70A8H , CS13N50A8D , VBA2311 , CS13N50A8R , CS13N50FA9D , CS5N60FA9HD , CS13N50FA9R , CS5N60A8H , IRFP064N , CS15N50A8R , CS15N50FA9R , VBA1328 , CS16N60FA9H , VBA1104N , VBA1158N , VBA1101M , CS5N60A4H .



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
Popular searches
b1565 | nce82h140 | 2n2369 equivalent | 2sd313 datasheet | k8a50d datasheet | 2sc381 | datasheet mosfet | 2sk2586