Справочник MOSFET. VBA2216

 

VBA2216 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: VBA2216
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 1700 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.018 Ohm
   Тип корпуса: SO8
 

 Аналог (замена) для VBA2216

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VBA2216 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:572K  cn vbsemi
 vba2216.pdf pdf_icon

VBA2216

VBA2216www.VBsemi.comP-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.)Definitiona0.015 at VGS = - 4.5 V TrenchFET Power MOSFET- 13a 100 % Rg Tested0.026 at VGS = - 2.5 V - 20 20 nC- 10 Built in ESD Protection with Zener Diode0.065 at VGS = - 1.8 V - 8 Typical

Другие MOSFET... CS12N70A8H , CS13N50A8D , VBA2311 , CS13N50A8R , CS13N50FA9D , CS5N60FA9HD , CS13N50FA9R , CS5N60A8H , BS170 , CS15N50A8R , CS15N50FA9R , VBA1328 , CS16N60FA9H , VBA1104N , VBA1158N , VBA1101M , CS5N60A4H .

History: CED83A3 | BRCS050N04YB | FDFS2P103A | APT20M38SVFRG | 18P10E | 2SJ279L | IPA057N08N3G

 

 
Back to Top

 


 
.