IRF624A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IRF624A
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 49 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 250 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.1 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 55 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.1 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220
Búsqueda de reemplazo de IRF624A MOSFET
IRF624A Datasheet (PDF)
irf624a.pdf

Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = 250 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 1.1 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = 4.1 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current : 10 A (Max.) @ VDS = 250V Low RDS(ON) : 0.742 (Typ.)1231.Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum RatingsSymbol Characteristic Val
irfs624b irf624b.pdf

November 2001IRF624B/IRFS624B250V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 4.1A, 250V, RDS(on) = 1.1 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 13.5 nC)planar, DMOS technology. Low Crss ( typical 9.5 pF)This advanced technology has been especially tailored to
Otros transistores... IRF620S , IRF621 , IRF6215 , IRF6215L , IRF6215S , IRF622 , IRF623 , IRF624 , AO4407 , IRF624S , IRF625 , IRF630 , IRF630A , IRF630FI , IRF630S , IRF631 , IRF632 .
History: FDA24N50 | IXTP18P10T | IRF7807A
History: FDA24N50 | IXTP18P10T | IRF7807A



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JMTLA3134K | JMTLA2N7002KS | JMTL850P04A | JMTL400N04A | JMTL3N10A | JMTL3416KS | JMTL3415KL | JMTL3407A | JMTL3406A | JMTL3404B | JMTL3404A | JMTL3402A | JMTL3401B | JMTL3400L | JMTL3400A | JMTC80N06A
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