CS1N50_A1 Todos los transistores

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CS1N50_A1 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CS1N50_A1

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 3 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 500 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 30 V

Corriente continua de drenaje (Id): 1 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tiempo de elevación (tr): 7 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 11 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 11 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO92

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CS1N50_A1 Datasheet (PDF)

1.1. cs1n50 a1.pdf Size:545K _crhj

CS1N50_A1
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Silicon N-Channel Power MOSFET R ○ CS1N50 A1 General Description: VDSS 500 V CS1N50 A1, the silicon N-channel Enhanced ID 1.0 A PD (TC=25℃) 3 W VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology RDS(ON)Typ 9.5 Ω which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power s

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