VB1695 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: VB1695
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.09 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.1 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 22 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.085 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT23
Búsqueda de reemplazo de VB1695 MOSFET
VB1695 Datasheet (PDF)
vb1695.pdf

VB1695www.VBsemi.comN-Channel 60-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Available TrenchFET Power MOSFET0.085 at VGS = 10 V 4.060 2.1 nC 100 % Rg Tested0.096 at VGS = 4.5 V 3.8 100 % UIS TestedAPPLICATIONS Battery Switch DC/DC ConverterDTO-236(SOT23)G 1
Otros transistores... CS16N60FA9H , VBA1104N , VBA1158N , VBA1101M , CS5N60A4H , CS55N06A4 , VB2355 , VB264K , IRF1404 , VB2103K , SI2318CDS-T1-GE3 , SI2318DS-T1-GE3 , SI2319CDS-T1-GE3 , SI2319DS-T1-GE3 , SI2323CDS-T1-GE3 , SI2323DDS-T1-GE3 , SI2323DS-T1 .
History: ELM35601KA | AP2325GEN | RFL1N18 | ELM34604AA | BST82 | ES6U3
History: ELM35601KA | AP2325GEN | RFL1N18 | ELM34604AA | BST82 | ES6U3



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
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