SI2318CDS-T1-GE3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SI2318CDS-T1-GE3
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 50 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 45 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.03 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SI2318CDS-T1-GE3

SI2318CDS-T1-GE3 Datasheet (PDF)

0.1. Size:848K cn vbsemi
si2318cds-t1-ge3.pdf

SI2318CDS-T1-GE3www.VBsemi.twN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.030 at VGS = 10 V TrenchFET Power MOSFET6.530 4.5 nC 100 % Rg Tested0.033 at VGS = 4.5 V 6.0 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS DC/DC ConverterDTO-236(SO

4.1. Size:1519K kexin
si2318cds-3.pdf

SMD Type MOSFETN-Channel MOSFETSI2318CDS (KI2318CDS)SOT-23-3Unit: mm+0.22.9 -0.1+0.10.4 -0.13 Features VDS (V) = 40V ID = 5.6 A (VGS = 10V) RDS(ON) 42m (VGS = 10V)1 2+0.02+0.10.15 -0.02 RDS(ON) 51m (VGS = 4.5V) 0.95 -0.1+0.11.9 -0.2D1. Gate2. Source3. DrainGS Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Sy

5.1. Size:236K vishay
si2318cds.pdf

New ProductSi2318CDSVishay SiliconixN-Channel 40 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.042 at VGS = 10 V TrenchFET Power MOSFET5.640 2.9 nC 100 % Rg Tested0.051 at VGS = 4.5 V 5.1 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS DC/DC Converte

5.2. Size:1646K kexin
si2318cds.pdf

SMD Type MOSFETN-Channel MOSFETSI2318CDS (KI2318CDS)SOT-23Unit: mm+0.12.9 -0.1+0.10.4 -0.1 Features3 VDS (V) = 40V ID = 5.6 A (VGS = 10V) RDS(ON) 42m (VGS = 10V)1 2 RDS(ON) 51m (VGS = 4.5V)+0.1+0.050.95 -0.1 0.1 -0.01+0.11.9-0.1D1. Gate2. Source3. DrainGS Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol

Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: BFC49

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: