SI2323CDS-T1-GE3 Todos los transistores

 

SI2323CDS-T1-GE3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SI2323CDS-T1-GE3
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 4 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 150 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.055 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23

 Búsqueda de reemplazo de MOSFET SI2323CDS-T1-GE3

 

SI2323CDS-T1-GE3 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:866K  cn vbsemi
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SI2323CDS-T1-GE3
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SI2323CDS-T1-GE3www.VBsemi.twP-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET 100 % Rg TestedVDS (V) RDS(on) () Typ.ID (A)a Qg (Typ.)0.046 at VGS = - 10 V - 5.60.049 at VGS = - 6 V - 5 11.4 nC- 30APPLICATIONS0.054 at VGS = - 4.5 V -4.5 For Mobile Computing- Load Switch- Notebook Adaptor SwitchSTO-236- DC/DC Converter

 5.1. Size:94K  vishay
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SI2323CDS-T1-GE3
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Si2323CDSVishay SiliconixP-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESMOSFET PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.039 at VGS = - 4.5 V TrenchFET Power MOSFET- 6e 100 % Rg Tested- 20 0.050 at VGS = - 2.5 V - 5.8 9 nC Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC0.063 at VGS = - 1.8 V - 5.1APPLI

 5.2. Size:217K  vishay
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SI2323CDS-T1-GE3
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Si2323CDSVishay SiliconixP-Channel 20 V (D-S) MOSFETFEATURESMOSFET PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) () 100 % Rg TestedID (A)a Qg (Typ.) Material categorization:0.039 at VGS = -4.5 V -6eFor definitions of compliance please see-20 0.050 at VGS = -2.5 V -5.8 9 nCwww.vishay.com/doc?999120.063 at VGS = -1.8 V -5.1APPLICATIONS

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