VBA1615 Todos los transistores

 

VBA1615 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: VBA1615
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8.1 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 150 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 90 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.015 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO8
 

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   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

VBA1615 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:424K  cn vbsemi
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VBA1615

VBA1615www.VBsemi.comN-Channel 60-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)d Qg (Typ.)Definition TrenchFET Power MOSFET0.012 at VGS = 10 V 12.660 10.5 nC Optimized for Low Side Synchronous0.015 at VGS = 4.5 V 11.6Rectifier Operation 100 % Rg and UIS TestedAPPLICATIONSD CC

 9.1. Size:418K  cn vbsemi
 vba1630.pdf pdf_icon

VBA1615

VBA1630www.VBsemi.comN-Channel 60-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)d Qg (Typ.)Definition TrenchFET Power MOSFET0.025 at VGS = 10 V 7.660 10.5 nC Optimized for Low Side Synchronous0.030 at VGS = 4.5 V 6.5Rectifier Operation 100 % Rg and UIS TestedAPPLICATIONSD CCFL I

Otros transistores... SI2323DS-T1 , SI2338DS-T1-GE3 , CS4N80FA9HD , VB2290 , CS4N80A4HD-G , VB8338 , CS4N80A3HD-G , CS4N70FA9R , 7N65 , VBA1630 , CS24N40FA9H , CS24N50ANHD , CS25N06B3 , CS25N06B4 , CS25N06B8 , CS4N65FA9HD , CS4N65A3HD1-G .

History: SMK0465FJ | NCE15P25JI | NCE0130A | STD4N90K5 | PTF4N65 | SML5025AN | KP8M4

 

 
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