CS24N40FA9H Todos los transistores

 

CS24N40FA9H MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CS24N40FA9H
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 85 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 400 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 24 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 72 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 322 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.175 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220F
 

 Búsqueda de reemplazo de CS24N40FA9H MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

CS24N40FA9H Datasheet (PDF)

 6.1. Size:221K  crhj
 cs24n40f a9h.pdf pdf_icon

CS24N40FA9H

Silicon N-Channel Power MOSFET R CS24N40F A9H General Description VDSS 400 V CS24N40F A9H, the silicon N-channel Enhanced ID 24 A PD (TC=25) 85 W VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology RDS(ON)Typ 0.14 which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various p

 7.1. Size:344K  crhj
 cs24n40 a8.pdf pdf_icon

CS24N40FA9H

Silicon N-Channel Power MOSFET R CS24N40 A8 General Description VDSS 400 V CS24N40 A8, the silicon N-channel Enhanced ID 24 A PD (TC=25) 250 W VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology RDS(ON)Typ 0.14 which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various powe

 7.2. Size:344K  wuxi china
 cs24n40a8.pdf pdf_icon

CS24N40FA9H

Silicon N-Channel Power MOSFET R CS24N40 A8 General Description VDSS 400 V CS24N40 A8, the silicon N-channel Enhanced ID 24 A PD (TC=25) 250 W VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology RDS(ON)Typ 0.14 which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various powe

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... CS4N80FA9HD , VB2290 , CS4N80A4HD-G , VB8338 , CS4N80A3HD-G , CS4N70FA9R , VBA1615 , VBA1630 , IRLZ44N , CS24N50ANHD , CS25N06B3 , CS25N06B4 , CS25N06B8 , CS4N65FA9HD , CS4N65A3HD1-G , SI2369DS-T1 , SI2399CDS-T1 .

History: SDF044JAA-U | 2SK2916 | 10N90A | BSB104N08NP3G | 11N10 | IRFU2607Z | CS4N65FA9HD

 

 
Back to Top

 


 
.