SI3460DV-T1 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SI3460DV-T1
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 100 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.03 Ohm
   Paquete / Cubierta: TSOP6

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SI3460DV-T1

SI3460DV-T1 Datasheet (PDF)

..1. Size:862K cn vbsemi
si3460dv-t1.pdf

SI3460DV-T1www.VBsemi.twN-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21DefinitionVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a, e Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.030 at VGS = 10 V 6 Low On-Resistance30 4.2 nC0.040 at VGS = 4.5 V 6 100 % Rg Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECTSOP-6APPLICATIONS DC/

6.1. Size:177K vishay
si3460dv.pdf

Si3460DVVishay SiliconixN-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Definition0.027 at VGS = 4.5 V 6.8 TrenchFET Power MOSFET0.032 at VGS = 2.5 V 20 6.3 100 % Rg Tested0.038 at VGS = 1.8 V 5.7 Compliant to RoHS directive 2002/95/ECTSOP-6(1, 2, 5, 6) DTop View1 6

7.1. Size:612K vishay
si3460dd si3460ddv.pdf

Si3460DDVVishay SiliconixN-Channel 20 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)d Qg (Typ.)Definition0.028 at VGS = 4.5 V 7.9 TrenchFET Power MOSFET20 0.032 at VGS = 2.5 V 7.4 6.7 nC 100 % Rg Tested 100 % UIS Tested0.038 at VGS = 1.8 V 6.8 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPL

7.2. Size:612K vishay
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