RYU002N05T306 Todos los transistores

 

RYU002N05T306 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: RYU002N05T306

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.35 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.3 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 6 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2 Ohm

Encapsulados: SC70

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RYU002N05T306 datasheet

 ..1. Size:844K  cn vbsemi
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RYU002N05T306

RYU002N05T306 www.VBsemi.tw N-Channel 60-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (mA) Definition 2 at VGS = 10 V 60 300 Low On-Resistance 2 Low Threshold 2 V (typ.) Low Input Capacitance 25 pF Fast Switching Speed 25 ns SOT-323 Low Input and Output Leakage SC-70 (3-LEADS) TrenchF

 5.1. Size:963K  rohm
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RYU002N05T306

Data Sheet 0.9V Drive Nch MOSFET RYU002N05 Structure Dimensions (Unit mm) Silicon N-channel MOSFET Features 1) High speed switing. (2) (1) 2) Small package(UMT3). 3)Ultra low voltage drive(0.9V drive). Abbreviated symbol QJ Application Switching Packaging specifications Inner circuit (3) Package Taping Type Code T306 Basic ordering unit (pieces) 300

Otros transistores... ISL9N306AS3S , CS3N50B4 , VB2703K , VB3222 , VB4290 , VB5222 , CS3N90A3H1-G , RTR025N05T , 18N50 , CS3N80ARH , NTD20N06T4 , NTD24N06LT4G , NTD25P03LG , NDS9945-NL , NCE6602 , NDF02N60ZG , CS3R50A4 .

History: IRF830ALPBF | IRF623FI | CS3N50B4 | SM6012NSU | VB2703K | CS2N80A3HY | STF23N80K5

 

 

 

 

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