Справочник MOSFET. RYU002N05T306

 

RYU002N05T306 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RYU002N05T306
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.35 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Cossⓘ - Выходная емкость: 6 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2 Ohm
   Тип корпуса: SC70
 

 Аналог (замена) для RYU002N05T306

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RYU002N05T306 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:844K  cn vbsemi
 ryu002n05t306.pdf pdf_icon

RYU002N05T306

RYU002N05T306www.VBsemi.twN-Channel 60-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (mA)Definition2 at VGS = 10 V60 300 Low On-Resistance: 2 Low Threshold: 2 V (typ.) Low Input Capacitance: 25 pF Fast Switching Speed: 25 nsSOT-323 Low Input and Output LeakageSC-70 (3-LEADS) TrenchF

 5.1. Size:963K  rohm
 ryu002n05.pdf pdf_icon

RYU002N05T306

Data Sheet0.9V Drive Nch MOSFETRYU002N05 Structure Dimensions (Unit : mm)Silicon N-channel MOSFETFeatures1) High speed switing.(2) (1)2) Small package(UMT3).3)Ultra low voltage drive(0.9V drive).Abbreviated symbol : QJ ApplicationSwitching Packaging specifications Inner circuit(3)Package TapingTypeCode T306Basic ordering unit (pieces) 300

Другие MOSFET... ISL9N306AS3S , CS3N50B4 , VB2703K , VB3222 , VB4290 , VB5222 , CS3N90A3H1-G , RTR025N05T , 75N75 , CS3N80ARH , NTD20N06T4 , NTD24N06LT4G , NTD25P03LG , NDS9945-NL , NCE6602 , NDF02N60ZG , CS3R50A4 .

History: NDS9925A | NCE15H10A

 

 
Back to Top

 


 
.