RYU002N05T306 - описание и поиск аналогов

 

RYU002N05T306. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RYU002N05T306

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.35 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

Cossⓘ - Выходная емкость: 6 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2 Ohm

Тип корпуса: SC70

Аналог (замена) для RYU002N05T306

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RYU002N05T306 даташит

 ..1. Size:844K  cn vbsemi
 ryu002n05t306.pdf pdf_icon

RYU002N05T306

RYU002N05T306 www.VBsemi.tw N-Channel 60-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (mA) Definition 2 at VGS = 10 V 60 300 Low On-Resistance 2 Low Threshold 2 V (typ.) Low Input Capacitance 25 pF Fast Switching Speed 25 ns SOT-323 Low Input and Output Leakage SC-70 (3-LEADS) TrenchF

 5.1. Size:963K  rohm
 ryu002n05.pdf pdf_icon

RYU002N05T306

Data Sheet 0.9V Drive Nch MOSFET RYU002N05 Structure Dimensions (Unit mm) Silicon N-channel MOSFET Features 1) High speed switing. (2) (1) 2) Small package(UMT3). 3)Ultra low voltage drive(0.9V drive). Abbreviated symbol QJ Application Switching Packaging specifications Inner circuit (3) Package Taping Type Code T306 Basic ordering unit (pieces) 300

Другие MOSFET... ISL9N306AS3S , CS3N50B4 , VB2703K , VB3222 , VB4290 , VB5222 , CS3N90A3H1-G , RTR025N05T , 18N50 , CS3N80ARH , NTD20N06T4 , NTD24N06LT4G , NTD25P03LG , NDS9945-NL , NCE6602 , NDF02N60ZG , CS3R50A4 .

History: AP4920GM-HF | 2SK4171 | 2SK2223-01 | BFW11 | SM4303PSUC | IRF8721TR | SWD5N65K

 

 

 

 

↑ Back to Top
.