CS3N80ARH Todos los transistores

 

CS3N80ARH MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CS3N80ARH
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 75 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 50 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 4.8 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO262
 

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CS3N80ARH Datasheet (PDF)

 7.1. Size:827K  wuxi china
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CS3N80ARH

Silicon N-Channel Power MOSFET R CS3N80 A8 General Description VDSS 800 V CS3N80 A8, the silicon N-channel Enhanced VDMOSFETs, is ID 3 A PD(TC=25) 75 W obtained by the self-aligned planar Technology which reduce the RDS(ON)Typ 4.0 conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power swit

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CS3N80ARH

Silicon N-Channel Power MOSFET R CS3N80 A4 General Description VDSS 800 V CS3N80 A4, the silicon N-channel Enhanced VDMOSFETs, is ID 3 A PD(TC=25) 75 W obtained by the self-aligned planar Technology which reduce the RDS(ON)Typ 4.0 conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power s

 7.3. Size:618K  wuxi china
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CS3N80ARH

Silicon N-Channel Power MOSFET R CS3N80 A3 General Description VDSS 800 V CS3N80 A3, the silicon N-channel Enhanced VDMOSFETs, is ID 3 A PD(TC=25) 75 W obtained by the self-aligned planar Technology which reduce the RDS(ON)Typ 4.0 conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power s

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