NTD25P03LG MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: NTD25P03LG
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 25 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 26 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 VQgⓘ - Carga de la puerta: 27 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 255 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.043 Ohm
Paquete / Cubierta: TO252
Búsqueda de reemplazo de MOSFET NTD25P03LG
NTD25P03LG Datasheet (PDF)
ntd25p03lg.pdf
NTD25P03LGwww.VBsemi.twP-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)d Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.033 at VGS = - 10 V - 26 100 % Rg TestedRoHS- 30 19 nCCOMPLIANT 100 % UIS Tested0.046 at VGS = - 4.5 V - 21APPLICATIONS Load Switch Notebook Adaptor SwitchSTO-252GG D SDTop ViewP-
ntd25p03l ntd25p03l1 ntd25p03lrlg.pdf
NTD25P03LPower MOSFET-25 Amp, -30 VoltLogic Level P-Channel DPAKDesigned for low voltage, high speed switching applications and tohttp://onsemi.comwithstand high energy in the avalanche and commutation modes. Thesource-to-drain diode recovery time is comparable to a discrete fastV(BR)DSS RDS(on) Typ ID Maxrecovery diode.-30 V 51 mW @ 5.0 V -25 AFeatures Pb-Free Packag
ntd25p03l std25p03l.pdf
NTD25P03L, STD25P03LPower MOSFET-25 A, -30 V, Logic Level P-Channel DPAKDesigned for low voltage, high speed switching applications and towithstand high energy in the avalanche and commutation modes.The source-to-drain diode recovery time is comparable to a discrete http://onsemi.comfast recovery diode.V(BR)DSS RDS(on) Typ ID MaxFeatures-30 V 51 mW @ 5.0 V -25 A S Prefix
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Liste
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