SI4425DY-T1-E3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SI4425DY-T1-E3
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8.7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 13 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 380 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0125 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SI4425DY-T1-E3

SI4425DY-T1-E3 Datasheet (PDF)

..1. Size:826K cn vbsemi
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SI4425DY-T1-E3www.VBsemi.twP-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)d Qg (Typ.)Available0.0125 at VGS = - 10 V - 11.6 TrenchFET Power MOSFET- 30 22 nC 100 % Rg Tested0.0180 at VGS = - 4.5 V - 10 100 % UIS TestedAPPLICATIONS Load SwitchesS - Notebook PCsSO-8- Deskt

6.1. Size:95K vishay
si4425dy.pdf

Si4425DYVishay SiliconixP-Channel 30-V (D-S) MOSFETPRODUCT SUMMARYVDS (V) rDS(on) (W) ID (A)FEATURES0.014 @ VGS = -10 V-11D TrenchFETr Power MOSFET-30-300.023 @ VGS = -4.5 V -8.5 Pb-freeAvailableSO-8SSD1 8S D2 7GSD3 6G D4 5Top ViewDOrdering Information: Si4425DYSi4425DY-T1 (with Tape and Reel)P-Channel MOSFET: Si4425DYE3 (Lead (Pb)-Fr

7.1. Size:252K vishay
si4425dd.pdf

Si4425DDYVishay SiliconixP-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.0098 at VGS = 10 V - 19.7 TrenchFET Power MOSFET- 30 27 nC 100 % Rg Tested0.0165 at VGS = 4.5 V - 15.2APPLICATIONS Load Switches- Notebook PCs- Desktop PCsSO-8SSD1 8SD2

7.2. Size:254K vishay
si4425ddy.pdf

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Liste

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