SI4425DY-T1-E3 Todos los transistores

 

SI4425DY-T1-E3 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SI4425DY-T1-E3

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8.7 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 13 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 380 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0125 Ohm

Encapsulados: SO8

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SI4425DY-T1-E3 datasheet

 ..1. Size:826K  cn vbsemi
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SI4425DY-T1-E3

SI4425DY-T1-E3 www.VBsemi.tw P-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)d Qg (Typ.) Available 0.0125 at VGS = - 10 V - 11.6 TrenchFET Power MOSFET - 30 22 nC 100 % Rg Tested 0.0180 at VGS = - 4.5 V - 10 100 % UIS Tested APPLICATIONS Load Switches S - Notebook PCs SO-8 - Deskt

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SI4425DY-T1-E3

Si4425DY Vishay Siliconix P-Channel 30-V (D-S) MOSFET PRODUCT SUMMARY VDS (V) rDS(on) (W) ID (A) FEATURES 0.014 @ VGS = -10 V -11 D TrenchFETr Power MOSFET -30 -30 0.023 @ VGS = -4.5 V -8.5 Pb-free Available SO-8 S SD 1 8 S D 2 7 G SD 3 6 G D 4 5 Top View D Ordering Information Si4425DY Si4425DY-T1 (with Tape and Reel) P-Channel MOSFET Si4425DY E3 (Lead (Pb)-Fr

 7.1. Size:252K  vishay
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SI4425DY-T1-E3

Si4425DDY Vishay Siliconix P-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) Definition 0.0098 at VGS = 10 V - 19.7 TrenchFET Power MOSFET - 30 27 nC 100 % Rg Tested 0.0165 at VGS = 4.5 V - 15.2 APPLICATIONS Load Switches - Notebook PCs - Desktop PCs SO-8 S SD 1 8 SD 2

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SI4425DY-T1-E3

Si4425DDY Vishay Siliconix P-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) Definition 0.0098 at VGS = 10 V - 19.7 TrenchFET Power MOSFET - 30 27 nC 100 % Rg Tested 0.0165 at VGS = 4.5 V - 15.2 APPLICATIONS Load Switches - Notebook PCs - Desktop PCs SO-8 S SD 1 8 SD 2

Otros transistores... CS3R50A4 , NTR4503NT1G , CS40N20A8 , CS40N20ANH , CS40N20FA9E , CS40N20FA9H , CS2N65FA9 , CS4N60A3R , IRFZ46N , CS2N65A4 , CS4N60A4R , P2402CAG , CS25N06C4 , CS1N60C1HD , SI4463BDY-T1 , SI4465ADY-T1-E3 , CS4N60FA9R .

History: SI2333DS | JCS13AN50CC

 

 

 

 

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