SI4425DY-T1-E3 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SI4425DY-T1-E3
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8.7 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 13 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 380 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0125 Ohm
Encapsulados: SO8
Búsqueda de reemplazo de SI4425DY-T1-E3 MOSFET
- Selecciónⓘ de transistores por parámetros
SI4425DY-T1-E3 datasheet
si4425dy-t1-e3.pdf
SI4425DY-T1-E3 www.VBsemi.tw P-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)d Qg (Typ.) Available 0.0125 at VGS = - 10 V - 11.6 TrenchFET Power MOSFET - 30 22 nC 100 % Rg Tested 0.0180 at VGS = - 4.5 V - 10 100 % UIS Tested APPLICATIONS Load Switches S - Notebook PCs SO-8 - Deskt
si4425dy.pdf
Si4425DY Vishay Siliconix P-Channel 30-V (D-S) MOSFET PRODUCT SUMMARY VDS (V) rDS(on) (W) ID (A) FEATURES 0.014 @ VGS = -10 V -11 D TrenchFETr Power MOSFET -30 -30 0.023 @ VGS = -4.5 V -8.5 Pb-free Available SO-8 S SD 1 8 S D 2 7 G SD 3 6 G D 4 5 Top View D Ordering Information Si4425DY Si4425DY-T1 (with Tape and Reel) P-Channel MOSFET Si4425DY E3 (Lead (Pb)-Fr
si4425dd.pdf
Si4425DDY Vishay Siliconix P-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) Definition 0.0098 at VGS = 10 V - 19.7 TrenchFET Power MOSFET - 30 27 nC 100 % Rg Tested 0.0165 at VGS = 4.5 V - 15.2 APPLICATIONS Load Switches - Notebook PCs - Desktop PCs SO-8 S SD 1 8 SD 2
si4425ddy.pdf
Si4425DDY Vishay Siliconix P-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) Definition 0.0098 at VGS = 10 V - 19.7 TrenchFET Power MOSFET - 30 27 nC 100 % Rg Tested 0.0165 at VGS = 4.5 V - 15.2 APPLICATIONS Load Switches - Notebook PCs - Desktop PCs SO-8 S SD 1 8 SD 2
Otros transistores... CS3R50A4 , NTR4503NT1G , CS40N20A8 , CS40N20ANH , CS40N20FA9E , CS40N20FA9H , CS2N65FA9 , CS4N60A3R , IRFZ46N , CS2N65A4 , CS4N60A4R , P2402CAG , CS25N06C4 , CS1N60C1HD , SI4463BDY-T1 , SI4465ADY-T1-E3 , CS4N60FA9R .
History: SI2333DS | JCS13AN50CC
History: SI2333DS | JCS13AN50CC
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10 | ASW80R290E | ASW65R120EFD | ASW65R110E | ASW65R095EFD | ASW65R046EFD | ASW65R041EFDA | ASW65R041E | ASW60R150E | ASW60R090EFDA
Popular searches
jcs50n20wt | 2sa1360 | p60nf06 datasheet | 2sc4468 | ru6888r | 2sc1815y | ktc3964 | s9013 transistor equivalent
