SI4465ADY-T1-E3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SI4465ADY-T1-E3
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.7 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10.9 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 455 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.011 Ohm
Paquete / Cubierta: SO8
Búsqueda de reemplazo de MOSFET SI4465ADY-T1-E3
SI4465ADY-T1-E3 Datasheet (PDF)
si4465ady-t1-e3.pdf
SI4465ADY-T1-E3www.VBsemi.twP-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)d Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.011 at VGS = - 10 V - 13.5 100 % Rg TestedRoHS- 30 29.5 nCCOMPLIANT 100 % UIS Tested0.015 at VGS = - 4.5 V - 11.6APPLICATIONS Load Switch Notebook Adaptor SwitchSO-8 S S1 8 DS D2
si4465ady.pdf
Si4465ADYVishay SiliconixP-Channel 1.8-V (G-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)b Qg (Typ.)Available0.009 at VGS = - 4.5 V - 13.7 TrenchFET Power MOSFET 1.8 V Rated0.011 at VGS = - 2.5 V - 12.4 55 nC- 8 100 % Rg Tested0.016 at VGS = - 1.8 V - 10SSO-8 SD1 8 GS D2 7 SD
si4465dy.pdf
Si4465DYVishay SiliconixP-Channel 1.8-V (G-S) MOSFETPRODUCT SUMMARYVDS (V) rDS(on) (W) ID (A)0.009 @ VGS = 4.5 V 148 0.011 @ VGS = 2.5 V 120.016 @ VGS = 1.8 V 10SSO-8SD1 8GS D2 7SD3 6G D4 5Top ViewDOrdering Information: Si4465DY-T1P-Channel MOSFETSi4465DY-T1E3 (Lead (Pb)free)ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25_C UNLESS OTH
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