SI4465ADY-T1-E3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SI4465ADY-T1-E3
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.7 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10.9 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 VQgⓘ - Carga de la puerta: 57 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 455 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.011 Ohm
Paquete / Cubierta: SO8
Búsqueda de reemplazo de SI4465ADY-T1-E3 MOSFET
SI4465ADY-T1-E3 Datasheet (PDF)
si4465ady-t1-e3.pdf

SI4465ADY-T1-E3www.VBsemi.twP-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)d Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.011 at VGS = - 10 V - 13.5 100 % Rg TestedRoHS- 30 29.5 nCCOMPLIANT 100 % UIS Tested0.015 at VGS = - 4.5 V - 11.6APPLICATIONS Load Switch Notebook Adaptor SwitchSO-8 S S1 8 DS D2
si4465ady.pdf

Si4465ADYVishay SiliconixP-Channel 1.8-V (G-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)b Qg (Typ.)Available0.009 at VGS = - 4.5 V - 13.7 TrenchFET Power MOSFET 1.8 V Rated0.011 at VGS = - 2.5 V - 12.4 55 nC- 8 100 % Rg Tested0.016 at VGS = - 1.8 V - 10SSO-8 SD1 8 GS D2 7 SD
si4465dy.pdf

Si4465DYVishay SiliconixP-Channel 1.8-V (G-S) MOSFETPRODUCT SUMMARYVDS (V) rDS(on) (W) ID (A)0.009 @ VGS = 4.5 V 148 0.011 @ VGS = 2.5 V 120.016 @ VGS = 1.8 V 10SSO-8SD1 8GS D2 7SD3 6G D4 5Top ViewDOrdering Information: Si4465DY-T1P-Channel MOSFETSi4465DY-T1E3 (Lead (Pb)free)ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25_C UNLESS OTH
Otros transistores... CS4N60A3R , SI4425DY-T1-E3 , CS2N65A4 , CS4N60A4R , P2402CAG , CS25N06C4 , CS1N60C1HD , SI4463BDY-T1 , 2SK3918 , CS4N60FA9R , SP8K31-TB , CS1N60A4H , SPN9971T252 , CS4N65A3R , NTZD3155CT2G , NUD3160LT , CS4N65A4R .
History: KIA10N80H-3P | R6524KNZ | NTB004N10G
History: KIA10N80H-3P | R6524KNZ | NTB004N10G



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
Popular searches
s9013 transistor equivalent | 60n60 mosfet | 2sc2412 | 2sc372 | 2sd400 datasheet | k2645 | tip3055 equivalent | 3sk73