SP8K31-TB Todos los transistores

 

SP8K31-TB MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SP8K31-TB
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 4 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 3.3 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 110 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.04 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO8

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SP8K31-TB Datasheet (PDF)

 ..1. Size:953K  cn vbsemi
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SP8K31-TBwww.VBsemi.twDual N-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETVDS (V) 60 100 % Rg and UIS testedRDS(on) () at VGS = 10 V 0.040RDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.055ID (A) per leg 7Configuration DualSO-8 DualD2D1 D2D2 5D16D178G1 G24G233S1S2S2 S222GG111N-Channel MOSFET N-Channe

 8.1. Size:946K  rohm
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SP8K31FRASP8K31TransistorAEC-Q101 Qualified4V Drive Nch+Nch MOSFETSP8K31SP8K31FRA Dimensions (Unit : mm) Structure SOP8Silicon N-channel MOSFET Features1) Built-in G-S Protection Diode. 2) Small surface Mount Package (SOP8). ApplicationsEach lead has same dimensionsSwitching Equivalent circuit Packaging dimensions (8) (7) (6) (5) (8) (7) (6) (5)Packa

 9.1. Size:946K  rohm
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SP8K33FRASP8K33Transistors AEC-Q101 Qualified4V Drive Nch+Nch MOSFETSP8K33FRASP8K33 Structure Dimensions (Unit : mm)Silicon N-channel MOSFET SOP8 Features 1) Low on-resistance. 2) Built-in G-S Protection Diode. 3) Small surface Mount Package (SOP8). Application Switching Each lead has same dimensions Packaging specifications Inner circuit(8) (7) (6) (5

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