SPN9971T252 Todos los transistores

 

SPN9971T252 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SPN9971T252
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 100 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 35 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 140 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.031 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
 

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SPN9971T252 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1348K  cn vbsemi
 spn9971t252.pdf pdf_icon

SPN9971T252

SPN9971T252www.VBsemi.twN-Channel 6 0-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) rDS(on) ()ID (A)aAvailable 175 C Junction Temperature0.025 at VGS = 10 V 35RoHS*600.030 at VGS = 4.5 V 30 COMPLIANTTO-252 DGDrain Connected to TabG D SSTop ViewN-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TC = 25 C, unless otherwise

Otros transistores... P2402CAG , CS25N06C4 , CS1N60C1HD , SI4463BDY-T1 , SI4465ADY-T1-E3 , CS4N60FA9R , SP8K31-TB , CS1N60A4H , BS170 , CS4N65A3R , NTZD3155CT2G , NUD3160LT , CS4N65A4R , NCE6005AS , NCE603S , CS4N65FA9R , CS4N70A3D .

History: SI1431DH | SI1012R

 

 
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