Справочник MOSFET. SPN9971T252

 

SPN9971T252 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SPN9971T252
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 35 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 140 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.031 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для SPN9971T252

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SPN9971T252 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1348K  cn vbsemi
 spn9971t252.pdf pdf_icon

SPN9971T252

SPN9971T252www.VBsemi.twN-Channel 6 0-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) rDS(on) ()ID (A)aAvailable 175 C Junction Temperature0.025 at VGS = 10 V 35RoHS*600.030 at VGS = 4.5 V 30 COMPLIANTTO-252 DGDrain Connected to TabG D SSTop ViewN-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TC = 25 C, unless otherwise

Другие MOSFET... P2402CAG , CS25N06C4 , CS1N60C1HD , SI4463BDY-T1 , SI4465ADY-T1-E3 , CS4N60FA9R , SP8K31-TB , CS1N60A4H , AO3407 , CS4N65A3R , NTZD3155CT2G , NUD3160LT , CS4N65A4R , NCE6005AS , NCE603S , CS4N65FA9R , CS4N70A3D .

History: SHD231006 | AO4705

 

 
Back to Top

 


 
.