CS4N65FA9R MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CS4N65FA9R
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 30 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 16 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 53 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.8 Ohm
Encapsulados: TO220F
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CS4N65FA9R datasheet
cs4n65fa9hd.pdf
Silicon N-Channel Power MOSFET R CS4N65F A9HD General Description VDSS 650 V CS4N65F A9HD, the silicon N-channel Enhanced ID 4 A PD(TC=25 ) 30 W VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology RDS(ON)Typ 2 which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various powe
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N R N-CHANNEL MOSFET JCS4N65B Package MAIN CHARACTERISTICS 4.0 A ID 650 V VDSS Rdson 2.5 @Vgs=10V 13.3nC Qg APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts UPS based on half bridge UPS
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R JCS4N65E JCS4N65E MAIN CHARACTERISTICS Package ID 4.0 A VDSS 650 V Rdson_max 2.5 Vgs=10V Qg-typ 11.9nC APPLICATIONS High frequency switching mode power supply Electronic ballast LED LED power supply FEATURES Low gate
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History: 2SK3355 | 2SK897-M | SI4947ADY | SIR422DP-T1-GE3 | STD13N50DM2AG | CS16N06AE-G
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Liste
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