SI4922BDY Todos los transistores

 

SI4922BDY MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SI4922BDY
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7.2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 45 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 140 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.016 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO8
     - Selección de transistores por parámetros

 

SI4922BDY Datasheet (PDF)

 ..1. Size:179K  vishay
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SI4922BDY

Si4922BDYVishay SiliconixDual N-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a, e Qg (Typ.)Definition0.016 at VGS = 10 V 8 TrenchFET Power MOSFET 100 % Rg and UIS tested30 0.018 at VGS = 4.5 V 8 19 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC0.024 at VGS = 2.5 V 8D1 D2SO-8 S D 1

 ..2. Size:1480K  cn vbsemi
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SI4922BDY

SI4922BDYwww.VBsemi.twDual N-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFETPower MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) 100 % Rg Tested0.016 at VGS = 10 V 8.5 100 % UIS Tested30 7.1 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC0.020 at VGS = 4.5 V 7.6APPLICATIONS Notebook System Power Low Current DC/DCD 1 D 2 SO

 6.1. Size:246K  vishay
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SI4922BDY

Si4922BDYVishay SiliconixDual N-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a, e Qg (Typ.)Definition0.016 at VGS = 10 V 8 TrenchFET Power MOSFET 100 % Rg and UIS tested30 0.018 at VGS = 4.5 V 8 19 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC0.024 at VGS = 2.5 V 8D1 D2SO-8 S D 1

 8.1. Size:56K  vishay
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SI4922BDY

Si4922DYNew ProductVishay SiliconixDual N-Channel 30-V (D-S) MOSFETPRODUCT SUMMARYVDS (V) rDS(on) (W) ID (A)0.016 @ VGS = 10 V 8.830 0.018 @ VGS = 4.5 V 8.30.024 @ VGS = 2.5 V 7.2D1 D1D2 D2SO-8S1 1 D18G1 2 D17G1G2S2 3 D26G2 4 D25Top ViewS1S2N-Channel MOSFETN-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)Parameter

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: AM2336N-T1 | SMOS44N80

 

 
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