CS6N80A0H MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: CS6N80A0H
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 110 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 100 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.2 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO263

Búsqueda de reemplazo de MOSFET CS6N80A0H

CS6N80A0H Datasheet (PDF)

7.1. Size:355K wuxi china
cs6n80arr-g.pdf

Silicon N-Channel Power MOSFET R CS6N80 ARR-G General Description VDSS 800 V CS6N80 ARR-G, the silicon N-channel Enhanced ID 6 A PD(TC=25) 180 W VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology RDS(ON)Typ 1.8 which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various po

7.2. Size:848K wuxi china
cs6n80a8.pdf

Silicon N-Channel Power MOSFET R CS6N80 A8 General Description VDSS 800 V CS6N80 A8, the silicon N-channel Enhanced VDMOSFETs, is ID 6 A PD(TC=25) 110 W obtained by the self-aligned planar Technology which reduce the RDS(ON)Typ 1.8 conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power swi

7.3. Size:675K wuxi china
cs6n80arh.pdf

Silicon N-Channel Power MOSFET R CS6N80 ARH General Description VDSS 800 V CS6N80 ARH, the silicon N-channel Enhanced ID 6 A PD(TC=25) 110 W VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology RDS(ON)Typ 1.8 which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power

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History: CS6N70A4D-G

Liste

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