STB60N06-14 Todos los transistores

 

STB60N06-14 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STB60N06-14
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 136 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 60 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 47 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 470 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.012 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO263
 

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STB60N06-14 Datasheet (PDF)

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STB60N06-14

STB60N06-14N - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTORPRELIMINARY DATATYPE V R IDSS DS(on) DSTB60N06-14 60 V

 ..2. Size:867K  cn vbsemi
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STB60N06-14

STB60N06-14www.VBsemi.twN-Channel 60-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY 175 C Junction TemperatureVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a TrenchFET Power MOSFET0.012 at VGS = 10 V 60600.013 at VGS = 4.5 V 50DD2PAK(TO-263)GGDSSN-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C, unless otherwise noted)Parameter Symbol Limit UnitVGSGate-Sou

 7.1. Size:87K  st
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STB60N06-14

STB60N03L-10N - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTORPRELIMIRARY DATATYPE V R IDSS DS(on) DSTB60N03L-10 30 V

 8.1. Size:51K  st
 stb60ne03l-12.pdf pdf_icon

STB60N06-14

STB60NE03L-12N - CHANNEL 30V - 0.009 - 60A - D2PAK "SINGLE FEATURE SIZE " POWER MOSFET PRELIMINARY DATATYPE VDSS RDS(on) IDSTB60NE03L-12 30 V

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History: HRLP72N06 | STB28N60M2 | FDB0170N607L | IRFR3708 | IRFR9010TR | SSM9971GM | RU35122S

 

 
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