CS8N50FA9R Todos los transistores

 

CS8N50FA9R MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CS8N50FA9R

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 35 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 112 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.9 Ohm

Encapsulados: TO220F

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CS8N50FA9R datasheet

 7.1. Size:274K  crhj
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CS8N50FA9R

Silicon N-Channel Power MOSFET R CS8N50F A9R General Description VDSS 500 V CS8N50F A9R, the silicon N-channel Enhanced ID 8 A PD(TC=25 ) 35 W VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology RDS(ON)Typ 0.7 which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power

 8.1. Size:270K  crhj
 cs8n50 a8r.pdf pdf_icon

CS8N50FA9R

Silicon N-Channel Power MOSFET R CS8N50 A8R General Description VDSS 500 V CS8N50 A8R, the silicon N-channel Enhanced ID 8 A PD(TC=25 ) 100 W VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology RDS(ON)Typ 0.7 which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power

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History: RTM002P02 | SI1028X | 30N03A | NTR4101P | IRF723FI | HY3810PM | 2SK2957L

 

 

 

 

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