CS8N50FA9R MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: CS8N50FA9R
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 35 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 112 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.9 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220F

Búsqueda de reemplazo de MOSFET CS8N50FA9R

CS8N50FA9R Datasheet (PDF)

7.1. Size:274K crhj
cs8n50f a9r.pdf

Silicon N-Channel Power MOSFET R CS8N50F A9R General Description VDSS 500 V CS8N50F A9R, the silicon N-channel Enhanced ID 8 A PD(TC=25) 35 W VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology RDS(ON)Typ 0.7 which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power

8.1. Size:270K crhj
cs8n50 a8r.pdf

Silicon N-Channel Power MOSFET R CS8N50 A8R General Description VDSS 500 V CS8N50 A8R, the silicon N-channel Enhanced ID 8 A PD(TC=25) 100 W VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology RDS(ON)Typ 0.7 which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power

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Liste

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