CS8N80FA9H MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

CS8N80FA9H MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CS8N80FA9H

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 800 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 120 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 160 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.25 Ohm

Encapsulados: TO220F

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CS8N80FA9H datasheet

5.1. Size:350K wuxi china
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Silicon N-Channel Power MOSFET R CS8N80F A9D VDSS 800 V General Description ID 8 A CS8N80F A9D, the silicon N-channel Enhanced PD (TC=25 ) 50 W VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar RDS(ON)Typ 1.1 Technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various po

7.1. Size:232K crhj
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Silicon N-Channel Power MOSFET R CS8N80F A9H VDSS 800 V General Description ID 8 A CS8N80F A9H, the silicon N-channel Enhanced PD (TC=25 ) 50 W VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar RDS(ON)Typ 1.1 Technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various po

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