CS8N80FA9H Todos los transistores

 

CS8N80FA9H MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CS8N80FA9H
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 120 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 160 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.25 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220F
 

 Búsqueda de reemplazo de CS8N80FA9H MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

CS8N80FA9H Datasheet (PDF)

 5.1. Size:350K  wuxi china
 cs8n80fa9d.pdf pdf_icon

CS8N80FA9H

Silicon N-Channel Power MOSFET R CS8N80F A9D VDSS 800 V General Description ID 8 A CS8N80F A9D, the silicon N-channel Enhanced PD (TC=25) 50 W VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar RDS(ON)Typ 1.1 Technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various po

 7.1. Size:232K  crhj
 cs8n80f a9h.pdf pdf_icon

CS8N80FA9H

Silicon N-Channel Power MOSFET R CS8N80F A9H VDSS 800 V General Description ID 8 A CS8N80F A9H, the silicon N-channel Enhanced PD (TC=25) 50 W VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar RDS(ON)Typ 1.1 Technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various po

 7.2. Size:350K  crhj
 cs8n80f a9d.pdf pdf_icon

CS8N80FA9H

Silicon N-Channel Power MOSFET R CS8N80F A9D VDSS 800 V General Description ID 8 A CS8N80F A9D, the silicon N-channel Enhanced PD (TC=25) 50 W VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar RDS(ON)Typ 1.1 Technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various po

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... TP0610K-T1 , TPC8103 , TPC8104 , TK40P04M , CS8N70FA9H2-G , CS8N80A8D , CS8N80A8H , VB1330 , 10N60 , CS8N90A8 , CS8N90FA9 , VB162K , CS90N03B3 , UT9435G , UTM4052L , UTM6016G , CSZ44V-1 .

History: 2SK2553 | MTP5N40E | DMT3006LPS-13 | CHM4946JGP | ZXMS6006SGQ | MTM60N05 | 2SK726

 

 
Back to Top

 


 
.