VB162K Todos los transistores

 

VB162K MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: VB162K

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.3 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.25 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3.3 Ohm

Encapsulados: SOT23

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VB162K datasheet

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VB162K

VB162K www.VBsemi.com N-Channel 60-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (mA) Definition 2.8 at VGS = 10 V 60 250 Low Threshold 2 V (typ.) Low Input Capacitance 25 pF Fast Switching Speed 25 ns Low Input and Output Leakage SOT-23 TrenchFET Power MOSFET 1200V ESD Protection G 1

 0.1. Size:803K  cn vbsemi
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VB162K

VB162KX www.VBsemi.com N-Channel 60 V(D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Definition 60 0.91 at VGS = 10 V 0.7 100 % Rg and UIS Tested TrenchFET Power MOSFET Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC D TO-236 (SOT-23) G 1 G 3 D S 2 S Top View N-Channel MOSFET ABSOLUTE MAXIMUM RATIN

Otros transistores... TK40P04M , CS8N70FA9H2-G , CS8N80A8D , CS8N80A8H , VB1330 , CS8N80FA9H , CS8N90A8 , CS8N90FA9 , IRF3710 , CS90N03B3 , UT9435G , UTM4052L , UTM6016G , CSZ44V-1 , AO4600 , AO4604 , AO4609 .

History: 2SK2196 | 2SK358

 

 

 

 

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