CS90N03B3 Todos los transistores

 

CS90N03B3 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CS90N03B3

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 80 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 25 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 90 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 43 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 521 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.006 Ohm

Encapsulados: TO251

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CS90N03B3 datasheet

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CS90N03B3

Silicon N-Channel Power MOSFET R CS90N03 B4 General Description VDSS 25 V CS90N03 B4, the silicon N-channel Enhanced ID 90 A PD(TC=25 ) 80 W VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar RDS(ON)Typ 4.8 m Technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various powe

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CS90N03B3

Silicon N-Channel Power MOSFET R CS90N03 B4 General Description VDSS 25 V CS90N03 B4, the silicon N-channel Enhanced ID 90 A PD(TC=25 ) 80 W VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar RDS(ON)Typ 4.8 m Technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various powe

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CS90N03B3

Silicon N-Channel Power MOSFET R CS90N03 B3 General Description VDSS 25 V CS90N03 B3, the silicon N-channel Enhanced ID 90 A PD(TC=25 ) 80 W VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar RDS(ON)Typ 4.8 m Technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power s

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History: SMK0825FC | 2SK293 | SM6012NSUB

 

 

 

 

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