CS90N03B3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: CS90N03B3
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 80 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 25 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 90 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 43 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 521 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.006 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO251

Búsqueda de reemplazo de MOSFET CS90N03B3

CS90N03B3 Datasheet (PDF)

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cs90n03b4.pdf

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cs90n03 b4.pdf

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Silicon N-Channel Power MOSFET RCS90N03 B3 General Description VDSS 25 V CS90N03 B3, the silicon N-channel Enhanced ID 90 A PD(TC=25) 80 W VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar RDS(ON)Typ 4.8 m Technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power s

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Liste

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