AO4614A Todos los transistores

 

AO4614A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AO4614A
   Código: 4614A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6(5) A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 4.2 nC
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.031(0.045) Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP8
 

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AO4614A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2230K  kexin
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AO4614A

SMD Type MOSFETComplementary Trench MOSFET AO4614A (KO4614A)SOP-8 Unit:mm Features N-Channel : VDS (V) = 40VID = 6 A (VGS = 10V)1.50 0.15RDS(ON) 31m (VGS = 10V)RDS(ON) 45m (VGS = 4.5V)1 S2 5 D1 6 D1 P-Channel : 2 G27 D23 S1 VDS (V) = -40V8 D24 G1ID = -5 A (VGS = -10V)RDS(ON) 45m (VGS = -10V)RDS(ON) 63m (VGS = -4.5V)

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AO4614A

AO461440V Dual P + N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryN-Channel P-ChannelThe AO4614 uses advanced trench technology VDS (V) = 40V -40VMOSFETs to provide excellent RDS(ON) and low gateID = 6A (VGS=10V) -5A (VGS = -10V)charge. The complementary MOSFETs may be used inRDS(ON) RDS(ON)H-bridge, Inverters and other applications.

 8.2. Size:233K  aosemi
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AO4614A

AO4614B40V Dual P + N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryN-Channel P-ChannelThe AO4614B uses advanced trench technology VDS (V) = 40V, -40VMOSFETs to provide excellent RDS(ON) and low gateID = 6A (VGS=10V) -5A (VGS=-10V)charge. The complementary MOSFETs may be usedRDS(ON)in H-bridge, Inverters and other applications.

 8.3. Size:1597K  kexin
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AO4614A

SMD Type MOSFETComplementary Trench MOSFET AO4614B (KO4614B)SOP-8 Unit:mm Features N-Channel : VDS (V) = 40VID = 6 A (VGS = 10V)1.50 0.15RDS(ON) 30m (VGS = 10V)RDS(ON) 38m (VGS = 4.5V)1 S2 5 D1 P-Channel : 6 D12 G27 D23 S1 VDS (V) = -40V8 D24 G1ID = -5 A (VGS = -10V)RDS(ON) 45m (VGS = -10V)RDS(ON) 63m (VGS = -4.5V)

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History: STK0825F | TK8S06K3L

 

 
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