KI8205A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: KI8205A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 10 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 7 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 175 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.02 Ohm
   Paquete / Cubierta: TSSOP8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET KI8205A

KI8205A Datasheet (PDF)

..1. Size:672K kexin
ki8205a.pdf

SMD Type MOSFETSMDTypeDual N-Channel Enhancement MOSFETKI8205ATSSOP-8Unit: mmFeatures6.45+0.1-0.16.5 A, 20 V. rDS(on) = 0.025 @ VGS = 4.5 V 4.45+0.1-0.1rDS(on) = 0.029 @ VGS = 2.5 V.Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating UnitDrain-Source Voltage VDS 20 VGate-Source Voltage VGS 10 VContinuous Drain Current ID 6.5 APulsed Drain Current IDM 20 A

8.1. Size:638K kexin
ki8205t.pdf

SMD Type MOSFETSMD TypeDual N-Channel High Density Trench MOSFETKI8205T( )SOT-23-6 Unit: mm+0.10.4 -0.1FeaturesSuper high dense cell trench design for low RDS(on).Rugged and reliable.Surface Mount package.1+0.020.15 -0.02+0.01-0.012+0.2-0.1D1 D2S1 1 6 G1D1/D2 2 5 D1/D2G1 G2S2 3 4 G2S1 S2Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: PSMN4R1-30YLC

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: