KI8205A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: KI8205A
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.5 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 175 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm
Тип корпуса: TSSOP8
Аналог (замена) для KI8205A
KI8205A Datasheet (PDF)
ki8205a.pdf

SMD Type MOSFETSMDTypeDual N-Channel Enhancement MOSFETKI8205ATSSOP-8Unit: mmFeatures6.45+0.1-0.16.5 A, 20 V. rDS(on) = 0.025 @ VGS = 4.5 V 4.45+0.1-0.1rDS(on) = 0.029 @ VGS = 2.5 V.Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating UnitDrain-Source Voltage VDS 20 VGate-Source Voltage VGS 10 VContinuous Drain Current ID 6.5 APulsed Drain Current IDM 20 A
ki8205t.pdf

SMD Type MOSFETSMD TypeDual N-Channel High Density Trench MOSFETKI8205T( )SOT-23-6 Unit: mm+0.10.4 -0.1FeaturesSuper high dense cell trench design for low RDS(on).Rugged and reliable.Surface Mount package.1+0.020.15 -0.02+0.01-0.012+0.2-0.1D1 D2S1 1 6 G1D1/D2 2 5 D1/D2G1 G2S2 3 4 G2S1 S2Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating
Другие MOSFET... SI1903DL , SI4953DY , AO4824L , AO4900 , AO4906 , AO4912 , AO4918 , AO6804 , IRFB3607 , KI8205T , KI8810DY , KI8810T , KI9926A , KX4N03W , SI4946DY , SI9926BDY , SI9926DY .
History: SE10080A | STF5N80K5



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
Popular searches
bc547 характеристики | me15n10-g | 2n2905 equivalent | 2sa640 | 2sb527 | 30g124 | 75339p mosfet | a968 transistor