KX4N03W MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: KX4N03W
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.8 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 100 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.067 Ohm
Paquete / Cubierta: TSSOP8
Búsqueda de reemplazo de KX4N03W MOSFET
KX4N03W Datasheet (PDF)
kx4n03w.pdf
SMD Type MOSFETDual N-Channel MOSFETKX4N03WTSSOP-8Unit: mm Features6.45+0.1-0.1 Low Ciss Ciss = 580 pF TYP. 4.45+0.1-0.1 Built-in G-S protection diode against ESD Low on-state resistanceRDS(on)1 = 67.0 m MAX. (VGS = 10 V, ID = 2.0 A)RDS(on)2 = 86.0 m MAX. (VGS = 4.5 V, ID = 2.0 A)RDS(on)3 = 95.0 m MAX. (VGS = 4.0 V, ID = 2.0 A)Drain1 Drain28
Otros transistores... AO4912 , AO4918 , AO6804 , KI8205A , KI8205T , KI8810DY , KI8810T , KI9926A , IRF1010E , SI4946DY , SI9926BDY , SI9926DY , 2SJ130S , 2SJ213 , 2SJ302-ZJ , 2SJ356 , 2SJ492-ZJ .
History: SPN9971T252 | SI2302DDS | SI2303CDS
History: SPN9971T252 | SI2302DDS | SI2303CDS
Liste
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