Справочник MOSFET. KX4N03W

 

KX4N03W Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: KX4N03W
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.8 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 100 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.067 Ohm
   Тип корпуса: TSSOP8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

KX4N03W Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1675K  kexin
 kx4n03w.pdf pdf_icon

KX4N03W

SMD Type MOSFETDual N-Channel MOSFETKX4N03WTSSOP-8Unit: mm Features6.45+0.1-0.1 Low Ciss Ciss = 580 pF TYP. 4.45+0.1-0.1 Built-in G-S protection diode against ESD Low on-state resistanceRDS(on)1 = 67.0 m MAX. (VGS = 10 V, ID = 2.0 A)RDS(on)2 = 86.0 m MAX. (VGS = 4.5 V, ID = 2.0 A)RDS(on)3 = 95.0 m MAX. (VGS = 4.0 V, ID = 2.0 A)Drain1 Drain28

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: SML6017AFN | HGB110N10SL | IPD50R280CE | FQT4N20L | PA502FMG | NDT6N70 | TMPF5N60Z

 

 
Back to Top

 


 
.