SI9926DY Todos los transistores

 

SI9926DY MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SI9926DY
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 10 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 175 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.026 Ohm
   Paquete / Cubierta: TSSOP8
 

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SI9926DY Datasheet (PDF)

 ..1. Size:490K  kexin
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SI9926DY

SMD Type MOSFETSMD TypeDual N-Channel MOSFETSI9926DY (KI9926DY)TSSOP-8Unit: mm Features RDS(on) 0.032 @ VGS = 4.5 V6.45+0.1-0.14.45+0.1-0.1 RDS(on) 0.045 @ VGS = 2.5 V.1 : Drain1 5 : Gate22 : Source 6 : Source21D1D213 : Source 7 : Source2S1S24 : Gate1 8 : Drain2S1 S2G1G2 Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter

 0.1. Size:1912K  kexin
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SI9926DY

SMD Type MOSFETDual N-Channel MOSFETSI9926DY-HF (KI9926DY-HF)SOP-8 Features VDS (V) = 20V ID = 6.5 A (VGS = 4.5V) RDS(ON) 30m (VGS = 4.5V)1.50 0.15 RDS(ON) 43m (VGS = 2.5V) Low gate charge1 Source 5 Drain Pb-Free Package May be Available. The G-Suffix Denotes a6 Drain2 Gate7 Drain3 SourcePb-Free Lead Finish8 Drain4 Gat

 0.2. Size:1256K  kexin
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SI9926DY

SMD Type MOSFETDual N-Channel MOSFETSI9926DY (KI9926DY)SOP-8 Features VDS (V) = 20V ID = 6.5 A (VGS = 4.5V) RDS(ON) 30m (VGS = 4.5V)1.50 0.15 RDS(ON) 43m (VGS = 2.5V) Low gate charge1 Source 5 Drain6 Drain2 Gate7 Drain3 Source8 Drain4 Gate5 4Q16 37 2Q28 1 Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol R

 8.1. Size:250K  vishay
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SI9926DY

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History: RJK0214DPA | 2N7640-GA | DMG8822UTS | IPAN60R650CE | SML5022BN

 

 
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