SI9926DY Todos los transistores

 

SI9926DY MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SI9926DY

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 10 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 175 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.026 Ohm

Encapsulados: TSSOP8

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SI9926DY datasheet

 ..1. Size:490K  kexin
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SI9926DY

SMD Type MOSFET SMD Type Dual N-Channel MOSFET SI9926DY (KI9926DY) TSSOP-8 Unit mm Features RDS(on) 0.032 @ VGS = 4.5 V 6.45+0.1 -0.1 4.45+0.1 -0.1 RDS(on) 0.045 @ VGS = 2.5 V. 1 Drain1 5 Gate2 2 Source 6 Source2 1 D1 D2 1 3 Source 7 Source2 S1 S2 4 Gate1 8 Drain2 S1 S2 G1 G2 Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter

 0.1. Size:1912K  kexin
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SI9926DY

SMD Type MOSFET Dual N-Channel MOSFET SI9926DY-HF (KI9926DY-HF) SOP-8 Features VDS (V) = 20V ID = 6.5 A (VGS = 4.5V) RDS(ON) 30m (VGS = 4.5V) 1.50 0.15 RDS(ON) 43m (VGS = 2.5V) Low gate charge 1 Source 5 Drain Pb-Free Package May be Available. The G-Suffix Denotes a 6 Drain 2 Gate 7 Drain 3 Source Pb-Free Lead Finish 8 Drain 4 Gat

 0.2. Size:1256K  kexin
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SI9926DY

SMD Type MOSFET Dual N-Channel MOSFET SI9926DY (KI9926DY) SOP-8 Features VDS (V) = 20V ID = 6.5 A (VGS = 4.5V) RDS(ON) 30m (VGS = 4.5V) 1.50 0.15 RDS(ON) 43m (VGS = 2.5V) Low gate charge 1 Source 5 Drain 6 Drain 2 Gate 7 Drain 3 Source 8 Drain 4 Gate 5 4 Q1 6 3 7 2 Q2 8 1 Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol R

 8.1. Size:250K  vishay
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SI9926DY

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