SI9926DY MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SI9926DY
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 10 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 175 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.026 Ohm
Encapsulados: TSSOP8
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SI9926DY datasheet
si9926dy.pdf
SMD Type MOSFET SMD Type Dual N-Channel MOSFET SI9926DY (KI9926DY) TSSOP-8 Unit mm Features RDS(on) 0.032 @ VGS = 4.5 V 6.45+0.1 -0.1 4.45+0.1 -0.1 RDS(on) 0.045 @ VGS = 2.5 V. 1 Drain1 5 Gate2 2 Source 6 Source2 1 D1 D2 1 3 Source 7 Source2 S1 S2 4 Gate1 8 Drain2 S1 S2 G1 G2 Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter
si9926dy-hf-s.pdf
SMD Type MOSFET Dual N-Channel MOSFET SI9926DY-HF (KI9926DY-HF) SOP-8 Features VDS (V) = 20V ID = 6.5 A (VGS = 4.5V) RDS(ON) 30m (VGS = 4.5V) 1.50 0.15 RDS(ON) 43m (VGS = 2.5V) Low gate charge 1 Source 5 Drain Pb-Free Package May be Available. The G-Suffix Denotes a 6 Drain 2 Gate 7 Drain 3 Source Pb-Free Lead Finish 8 Drain 4 Gat
si9926dy-s.pdf
SMD Type MOSFET Dual N-Channel MOSFET SI9926DY (KI9926DY) SOP-8 Features VDS (V) = 20V ID = 6.5 A (VGS = 4.5V) RDS(ON) 30m (VGS = 4.5V) 1.50 0.15 RDS(ON) 43m (VGS = 2.5V) Low gate charge 1 Source 5 Drain 6 Drain 2 Gate 7 Drain 3 Source 8 Drain 4 Gate 5 4 Q1 6 3 7 2 Q2 8 1 Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol R
Otros transistores... KI8205A , KI8205T , KI8810DY , KI8810T , KI9926A , KX4N03W , SI4946DY , SI9926BDY , IRF530 , 2SJ130S , 2SJ213 , 2SJ302-ZJ , 2SJ356 , 2SJ492-ZJ , 2SJ599-Z , 2SJ600-Z , 2SJ602-ZJ .
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Liste
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