SI9926DY MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SI9926DY
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 10 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 175 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.026 Ohm
Paquete / Cubierta: TSSOP8
Búsqueda de reemplazo de SI9926DY MOSFET
SI9926DY Datasheet (PDF)
si9926dy.pdf

SMD Type MOSFETSMD TypeDual N-Channel MOSFETSI9926DY (KI9926DY)TSSOP-8Unit: mm Features RDS(on) 0.032 @ VGS = 4.5 V6.45+0.1-0.14.45+0.1-0.1 RDS(on) 0.045 @ VGS = 2.5 V.1 : Drain1 5 : Gate22 : Source 6 : Source21D1D213 : Source 7 : Source2S1S24 : Gate1 8 : Drain2S1 S2G1G2 Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter
si9926dy-hf-s.pdf

SMD Type MOSFETDual N-Channel MOSFETSI9926DY-HF (KI9926DY-HF)SOP-8 Features VDS (V) = 20V ID = 6.5 A (VGS = 4.5V) RDS(ON) 30m (VGS = 4.5V)1.50 0.15 RDS(ON) 43m (VGS = 2.5V) Low gate charge1 Source 5 Drain Pb-Free Package May be Available. The G-Suffix Denotes a6 Drain2 Gate7 Drain3 SourcePb-Free Lead Finish8 Drain4 Gat
si9926dy-s.pdf

SMD Type MOSFETDual N-Channel MOSFETSI9926DY (KI9926DY)SOP-8 Features VDS (V) = 20V ID = 6.5 A (VGS = 4.5V) RDS(ON) 30m (VGS = 4.5V)1.50 0.15 RDS(ON) 43m (VGS = 2.5V) Low gate charge1 Source 5 Drain6 Drain2 Gate7 Drain3 Source8 Drain4 Gate5 4Q16 37 2Q28 1 Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol R
Otros transistores... KI8205A , KI8205T , KI8810DY , KI8810T , KI9926A , KX4N03W , SI4946DY , SI9926BDY , AO4407 , 2SJ130S , 2SJ213 , 2SJ302-ZJ , 2SJ356 , 2SJ492-ZJ , 2SJ599-Z , 2SJ600-Z , 2SJ602-ZJ .
History: RJK0214DPA | 2N7640-GA | DMG8822UTS | IPAN60R650CE | SML5022BN
History: RJK0214DPA | 2N7640-GA | DMG8822UTS | IPAN60R650CE | SML5022BN



Liste
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