DMP1260 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: DMP1260
   Código: DMF
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.4 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 0.9 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 6.5 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 10.3 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 64 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.075 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23

Búsqueda de reemplazo de MOSFET DMP1260

DMP1260 Datasheet (PDF)

..1. Size:996K kexin
dmp1260.pdf

SMD Type MOSFETP-Channel MOSFETDMP1260 (KMP1260)SOT-23Unit: mm+0.12.9 -0.1+0.10.4 -0.13 Features VDS (V) =-20V ID =-3.3 A1 2 RDS(ON) 75m (VGS =-4.5V)+0.1+0.050.95 -0.1 0.1-0.01 RDS(ON) 140m (VGS =-2.5V)+0.11.9 -0.11. GateDrain2. Source3. DrainGateSource Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol R

9.1. Size:413K diodes
dmp1200ufr4.pdf

DMP1200UFR4 P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features and Benefits Low On-Resistance ID V(BR)DSS RDS(ON) TA = +25C ESD Protected Gate Low Input/Output Leakage 100m @ VGS = -4.5 V -2A Fast Switching Speed 160m @ VGS = -2.5V -1A Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) -12V Halogen and Antimony Free. Gre

9.2. Size:213K diodes
dmp1245ufcl.pdf

A Product Line of Diodes IncorporatedDMP1245UFCL 12V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Summary Features and Benefits Typical off board profile of 0.5mm - ideally suited for thin V(BR)DSS RDS(on) max ID max applications Low RDS(ON) minimizes conduction losses 29m @VGS = -4.5V -6.6 A PCB footprint of 2.56mm2 45m @VGS = -2.5V -5.3 A 3kV ESD Protected

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Liste

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