DMP1260 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: DMP1260
Маркировка: DMF
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.4 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 20 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 12 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 0.9 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 3.3 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 6.5 nC
Время нарастания (tr): 10.3 ns
Выходная емкость (Cd): 64 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.075 Ohm
Тип корпуса: SOT23
DMP1260 Datasheet (PDF)
dmp1260.pdf
SMD Type MOSFETP-Channel MOSFETDMP1260 (KMP1260)SOT-23Unit: mm+0.12.9 -0.1+0.10.4 -0.13 Features VDS (V) =-20V ID =-3.3 A1 2 RDS(ON) 75m (VGS =-4.5V)+0.1+0.050.95 -0.1 0.1-0.01 RDS(ON) 140m (VGS =-2.5V)+0.11.9 -0.11. GateDrain2. Source3. DrainGateSource Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol R
dmp1200ufr4.pdf
DMP1200UFR4 P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features and Benefits Low On-Resistance ID V(BR)DSS RDS(ON) TA = +25C ESD Protected Gate Low Input/Output Leakage 100m @ VGS = -4.5 V -2A Fast Switching Speed 160m @ VGS = -2.5V -1A Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) -12V Halogen and Antimony Free. Gre
dmp1245ufcl.pdf
A Product Line of Diodes IncorporatedDMP1245UFCL 12V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Summary Features and Benefits Typical off board profile of 0.5mm - ideally suited for thin V(BR)DSS RDS(on) max ID max applications Low RDS(ON) minimizes conduction losses 29m @VGS = -4.5V -6.6 A PCB footprint of 2.56mm2 45m @VGS = -2.5V -5.3 A 3kV ESD Protected
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRF1407 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
