KI001P MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: KI001P
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 12 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.1 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT23

Búsqueda de reemplazo de MOSFET KI001P

KI001P Datasheet (PDF)

..1. Size:315K kexin
ki001p.pdf

SMD Type MOSFETP-Channel Enhancement MOSFET KI001PSOT-23Unit: mm+0.12.9-0.1+0.10.4 -0.13 Features VDS (V) =-12V ID =-2.8 A1 2 RDS(ON) 100m (VGS =-4.5V)+0.050.95+0.1-0.1 0.1 -0.011.9+0.1-0.1 RDS(ON) 150m (VGS =-2.5V)1.Gate2.Source3.Drain Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit Drain-Sour

0.1. Size:316K kexin
ki001p-3.pdf

SMD Type MOSFETP-Channel Enhancement MOSFET KI001PSOT-23-3Unit: mm+0.22.9-0.1+0.10.4 -0.13 Features VDS (V) =-12V ID =-2.8 A1 2 RDS(ON) 100m (VGS =-4.5V)+0.02+0.10.15 -0.020.95 -0.1+0.11.9-0.2 RDS(ON) 150m (VGS =-2.5V)1.Gate2.Source3.Drain Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit Drain

0.2. Size:333K kexin
ki001pw.pdf

SMD Type MOSFETP-Channel MOSFETKI001PW Features VDS (V) =-15V ID =-3 A (VGS =-10V) RDS(ON) 85m (VGS =-4.5V) RDS(ON) 95m (VGS =-2.5V)1 Gate2 Source3 Drain Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit Drain-Source Voltage VDS -15V Gate-Source Voltage VGS 12 Continuous Drain Current ID -3 A Power Dissipation P

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Liste

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