KI001P Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: KI001P

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 12 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.8 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.1 Ohm

Encapsulados: SOT23

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- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

KI001P datasheet

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KI001P

SMD Type MOSFET P-Channel Enhancement MOSFET KI001P SOT-23 Unit mm +0.1 2.9-0.1 +0.1 0.4 -0.1 3 Features VDS (V) =-12V ID =-2.8 A 1 2 RDS(ON) 100m (VGS =-4.5V) +0.05 0.95+0.1 -0.1 0.1 -0.01 1.9+0.1 -0.1 RDS(ON) 150m (VGS =-2.5V) 1.Gate 2.Source 3.Drain Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol Rating Unit Drain-Sour

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KI001P

SMD Type MOSFET P-Channel Enhancement MOSFET KI001P SOT-23-3 Unit mm +0.2 2.9-0.1 +0.1 0.4 -0.1 3 Features VDS (V) =-12V ID =-2.8 A 1 2 RDS(ON) 100m (VGS =-4.5V) +0.02 +0.1 0.15 -0.02 0.95 -0.1 +0.1 1.9-0.2 RDS(ON) 150m (VGS =-2.5V) 1.Gate 2.Source 3.Drain Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol Rating Unit Drain

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KI001P

SMD Type MOSFET P-Channel MOSFET KI001PW Features VDS (V) =-15V ID =-3 A (VGS =-10V) RDS(ON) 85m (VGS =-4.5V) RDS(ON) 95m (VGS =-2.5V) 1 Gate 2 Source 3 Drain Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol Rating Unit Drain-Source Voltage VDS -15 V Gate-Source Voltage VGS 12 Continuous Drain Current ID -3 A Power Dissipation P

Otros transistores... AO3415W, AO4335, AO4705, AOD413, BSL211DV, DMP1260, FQD12P10, FR9024N, 8N60, KI001PW, KI005P, KI005PDFN, KI007P, KI009P, KI10P40DY, KI2301T, KI2305DS