Справочник MOSFET. KI001P

 

KI001P MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: KI001P
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 12 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.8 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.1 Ohm
   Тип корпуса: SOT23

 Аналог (замена) для KI001P

 

 

KI001P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:315K  kexin
 ki001p.pdf

KI001P

SMD Type MOSFETP-Channel Enhancement MOSFET KI001PSOT-23Unit: mm+0.12.9-0.1+0.10.4 -0.13 Features VDS (V) =-12V ID =-2.8 A1 2 RDS(ON) 100m (VGS =-4.5V)+0.050.95+0.1-0.1 0.1 -0.011.9+0.1-0.1 RDS(ON) 150m (VGS =-2.5V)1.Gate2.Source3.Drain Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit Drain-Sour

 0.1. Size:316K  kexin
 ki001p-3.pdf

KI001P

SMD Type MOSFETP-Channel Enhancement MOSFET KI001PSOT-23-3Unit: mm+0.22.9-0.1+0.10.4 -0.13 Features VDS (V) =-12V ID =-2.8 A1 2 RDS(ON) 100m (VGS =-4.5V)+0.02+0.10.15 -0.020.95 -0.1+0.11.9-0.2 RDS(ON) 150m (VGS =-2.5V)1.Gate2.Source3.Drain Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit Drain

 0.2. Size:333K  kexin
 ki001pw.pdf

KI001P

SMD Type MOSFETP-Channel MOSFETKI001PW Features VDS (V) =-15V ID =-3 A (VGS =-10V) RDS(ON) 85m (VGS =-4.5V) RDS(ON) 95m (VGS =-2.5V)1 Gate2 Source3 Drain Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit Drain-Source Voltage VDS -15V Gate-Source Voltage VGS 12 Continuous Drain Current ID -3 A Power Dissipation P

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top