KI001P datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: KI001P

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 12 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.1 Ohm

Тип корпуса: SOT23

Аналог (замена) для KI001P

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

KI001P даташит

 ..1. Size:315K  kexin
 ki001p.pdf pdf_icon

KI001P

SMD Type MOSFET P-Channel Enhancement MOSFET KI001P SOT-23 Unit mm +0.1 2.9-0.1 +0.1 0.4 -0.1 3 Features VDS (V) =-12V ID =-2.8 A 1 2 RDS(ON) 100m (VGS =-4.5V) +0.05 0.95+0.1 -0.1 0.1 -0.01 1.9+0.1 -0.1 RDS(ON) 150m (VGS =-2.5V) 1.Gate 2.Source 3.Drain Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol Rating Unit Drain-Sour

 0.1. Size:316K  kexin
 ki001p-3.pdf pdf_icon

KI001P

SMD Type MOSFET P-Channel Enhancement MOSFET KI001P SOT-23-3 Unit mm +0.2 2.9-0.1 +0.1 0.4 -0.1 3 Features VDS (V) =-12V ID =-2.8 A 1 2 RDS(ON) 100m (VGS =-4.5V) +0.02 +0.1 0.15 -0.02 0.95 -0.1 +0.1 1.9-0.2 RDS(ON) 150m (VGS =-2.5V) 1.Gate 2.Source 3.Drain Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol Rating Unit Drain

 0.2. Size:333K  kexin
 ki001pw.pdf pdf_icon

KI001P

SMD Type MOSFET P-Channel MOSFET KI001PW Features VDS (V) =-15V ID =-3 A (VGS =-10V) RDS(ON) 85m (VGS =-4.5V) RDS(ON) 95m (VGS =-2.5V) 1 Gate 2 Source 3 Drain Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol Rating Unit Drain-Source Voltage VDS -15 V Gate-Source Voltage VGS 12 Continuous Drain Current ID -3 A Power Dissipation P

Другие IGBT... AO3415W, AO4335, AO4705, AOD413, BSL211DV, DMP1260, FQD12P10, FR9024N, 8N60, KI001PW, KI005P, KI005PDFN, KI007P, KI009P, KI10P40DY, KI2301T, KI2305DS