KI007P MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: KI007P
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 12 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.065 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT23

Búsqueda de reemplazo de MOSFET KI007P

KI007P Datasheet (PDF)

..1. Size:335K kexin
ki007p.pdf

SMD Type MOSFETP-Channel MOSFETKI007PSOT-23Unit: mm+0.12.9 -0.1+0.10.4-0.13 Features VDS (V) =-12V ID =-3.5 A1 2+0.1+0.050.95 -0.1 0.1 -0.01 RDS(ON) 65m (VGS =-4.5V , ID=-1A)+0.11.9 -0.1 RDS(ON) 100m (VGS =-2.5V , ID=-0.5A)1. Gate2. Source3. Drain Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit

0.1. Size:367K kexin
ki007p-3.pdf

SMD Type MOSFETP-Channel MOSFETKI007PSOT-23-3Unit: mm+0.22.9 -0.1+0.10.4 -0.13 Features VDS (V) =-12V ID =-3.5 A 1 2+0.02+0.10.15 -0.020.95 -0.1 RDS(ON) 65m (VGS =-4.5V , ID=-1A)+0.11.9 -0.2 RDS(ON) 100m (VGS =-2.5V , ID=-0.5A)1. Gate2. Source3. Drain Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Un

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Liste

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