KI007P MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: KI007P
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 12 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.065 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT23
Búsqueda de reemplazo de KI007P MOSFET
KI007P Datasheet (PDF)
ki007p.pdf
SMD Type MOSFETP-Channel MOSFETKI007PSOT-23Unit: mm+0.12.9 -0.1+0.10.4-0.13 Features VDS (V) =-12V ID =-3.5 A1 2+0.1+0.050.95 -0.1 0.1 -0.01 RDS(ON) 65m (VGS =-4.5V , ID=-1A)+0.11.9 -0.1 RDS(ON) 100m (VGS =-2.5V , ID=-0.5A)1. Gate2. Source3. Drain Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit
ki007p-3.pdf
SMD Type MOSFETP-Channel MOSFETKI007PSOT-23-3Unit: mm+0.22.9 -0.1+0.10.4 -0.13 Features VDS (V) =-12V ID =-3.5 A 1 2+0.02+0.10.15 -0.020.95 -0.1 RDS(ON) 65m (VGS =-4.5V , ID=-1A)+0.11.9 -0.2 RDS(ON) 100m (VGS =-2.5V , ID=-0.5A)1. Gate2. Source3. Drain Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Un
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History: KI10P40DY | KF9N25P
Liste
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